DRV5012超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器datasheet.pdfVIP

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2019-12-28 发布于天津
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DRV5012超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器datasheet.pdf

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Product Order Technical Tools Support Folder Now Documents Software Community DRV5012 ZHCSGS0 – AUGUST 2017 DRV5012 超超低低功功耗耗数数字字锁锁存存器器霍霍尔尔效效应应传传感感器器 1 特特性性 3 说说明明 1 • 行业领先的低功耗特性 DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数 • 可通过引脚选择的采样率：字锁存器霍尔效应传感器。 – SEL = 低电平：使用 1.3µA (1.8V) 时为20Hz 当南磁极靠近封装顶部并且超出BOP 阈值时，该器件 – SEL = 高电平：使用 142µA (1.8V) 时为会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且 2.5kHz 超出BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北 • VCC 工作电压范围为 1.65V 至5.5V 极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开BOP 和 • 高磁性灵敏度：±2mT （典型值） BRP 以提供可靠切换。 • 可靠磁滞：4mT （典型值） • 推挽式CMOS 输出通过使用内部振荡器，DRV5012 器件对磁场进行采 • 小型纤薄X2SON 封装样，并根据SEL 引脚以20Hz 或2.5kHz 的速率更新 • 运行温度范围：–40°C 至+85°C 输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。 2 应应用用此器件通过 1.65V 至5.5V 的VCC 工作，并采用小型 • 无刷直流电机传感器 X2SON 封装。 • 增量旋转编码： – 电机速度