简单的光学突破3C科技瓶颈浸润式微影.pdf

物理教育學刊物理教育學刊 ChineseChinese Physics EducationPhysics Education 簡單的光學突破3C 科技瓶頸：浸潤式微影 71 20020 168,, 第第九十卷第一期七卷第一期, 1-, 1629-34 2016, 17(1), 29-34 2008, 9(1), 1-16 10.6212/CPE.2016.170 1.03 簡單的光學突破3C 科技瓶頸：浸潤式微影 林育詩 國立交通大學光電工程所 e-mail: iv （投稿日期：民國105 年06 月19 日，接受日期：105 年07 月05 日） 摘要 ：台灣在IC 製造上在全球扮演著舉足輕重的角色，在技術研發更有相當的貢 獻 ，而中學所學到的基本光學，也被引用到IC 製造，引領了技術瓶頸的突破。隨 著IC 尺寸的微小化，藉由電晶體的通道長度縮短，來達到較好的元件特性。在當 半導體元件製程技術發展到 65 nm 技術節點時，現有光學微影製程註一 ( photolithography ) 的曝光技術到達了瓶頸。以水為介質的「浸潤式微影」，在微 影製程技術上有突破性的發展，更成功的被應用在65-,45-,和32-nm 的半導體製程 技術上。浸潤式微影利用簡單的物理光學原理，包含折射 、繞射與鑑別度 ，可以 同時改善解析度和焦距深度。使用原有微影系統 ，搭配浸潤式微影，可以達到更 短光源波長的效果，對IC 尺寸的微小化有很大的幫助。 關鍵詞：折射、繞射、浸潤式微影、半導體研發 壹、前言 一倍。現今，在我們生活周遭電子產品內的 微小晶片上，就擁有上億顆電晶體。隨著積 中學生在學物理時，可能會質疑這些理 體電路設計複雜化，晶片尺寸縮小化，單一 論的實用性。本文從高中物理光學的原理出 晶片上的電晶體的密度增加。使用光學微影 發，介紹現今科技技術突破的實例-浸潤式微 製程，短時間內可以大量生產，且解析度佳、 影( immersion lithography ) ，來突顯基礎物理 成本低等優勢，成為半導體製程的關鍵技術， 與科技應用端的緊密連結。 但困難度也日益遽增。如何讓光罩上奈米尺 1965 年，英特爾( Intel )共同創辦人 度的圖案不失真的轉移至晶片上，更是近幾 Gordon Moore 提出的Moore’s Law ：積體電 年半導體界棘手問題之一。 路上可容納的電晶體數量，每24 個月會增加 當 IC 元件尺寸縮小，光罩上的圖案線 30 林育詩 寬小於光源波長，繞射現象將會造成圖案的 焦 嚴重失真。透過縮短光源波長得以改善，從 原先的波長 436 nm 發展到目前使用的波長 距 平 193 nm ArF 光波源。但早在2002 年左右，