模拟电子技术PPT2.ppt

1. 模拟应用 2. 开关应用 3. 半导体器件及集成电路封装技术简介 1.4.4 三极管封装应用 (a) 小型金封 (b) TO-92塑封 (c) TO-92塑封 (d) TO-220塑封 图1.4.12 三极管常见封装外型及其管脚功能 图1.4.13 贴片三极管正视图及管脚功能 图1.4.14 著名的二保三电路 谢谢大家！ 1.3.1 背靠背的pn结—三极管工作原理 1.3.2 三极管输入、传输、输出三特性及其饱和 1.3.3 三极管数理模型 1. 三极管极性-NPN BJT与PNP BJT及其电流方向 2. 三极管数理模型 第1章 晶体管(3) 1.3 晶体三极管传输特性及其数学模型 PPT3 1.4 三极管技术参数及测试应用 1.4.1 三极管技术参数 1.4.2 三极管测试鉴别 1.4.3 三极管产品形态 1.4.4 三极管封装应用 本节要务 三极管工作原理 1. 内因：结构尺寸及各区有别掺杂 外因：发射结正偏、集电结反偏 2. 三极管三特性 艾碧顺着发射结,携来电子多如云;小小艾碧大艾西,艾西顺着艾碧循。 艾西电压落电阻,剩余才给集射极;集射压降太少了,管子饱和限艾西。 3. 三极管主参数—电流放大倍数β值 1.3.1 背靠背的PN结—BJT原理 1.3 晶体三极管及其数理模型 ② 掺杂浓度: 基区集电区发射区。NPN型BJT发射区自由电子浓度是基区空穴浓度的100倍以上。 1. BJT结构的两个特点 ① 尺寸: 基区很薄,其厚度只有1μm~10μm。 (a) 背靠背的pn结结构 (b) 晶体管符号 图1.3.1 背靠背的pn结—晶体三极管 三区三极两个结 P≈UceIc (1.3.1) BJT功耗近似计算公式 2. 影响各电流形成的四个因素 以NPN型BJT为例，有如下四个因素影响各电流的形成。 (1) 基区尺寸很小. 尺寸很小的基区好像狭窄的山梁拥挤不堪。 (2) 基区空穴浓度很低. (3) 发射区自由电子浓度很高 (4) 集电区尺寸较大并接有正电源，对基区的电子有吸引力 NPN三极管放大时的电压特征 : UcUbUe 百度知道/question/487421032912658372.html?oldq=1 A491617157b 提问：模拟电路的数个问题(为什么集电结反偏不影响晶体管工作？) A491617157b 2013-10-7 19:26 好比喻，怎么想到的。。。。。。 一叶扁舟轻轻地 2013-10-7 20:08 做了几十年了，就像学游泳，呛到嘴里的水喝得太多了，终于懂得了一点点水性。本友很笨，都是憋出来的，哈哈哈！ 1.3.2 三极管三特性 1. 三极管输入特性—基极电流与发射结电压的关系 图1.3.2 BJT实验电路 图1.3.3 BJT集-射恒压输入特性曲线 图1.3.4 BJT实验电路 图1.3.5 BJT实际输入特性曲线及直线拟合 BJT输入特性曲线的斜率叫做交流输入电阻，简称输入电阻，用rbe表示。 BJT输入特性的数值化及简化可参照二极管(pn结)的四个模型进行。 或 公式(1.3.2)是整个模拟电子技术中最常用的，必须给予足够重视。 rbe计算公式(1.3.2)使用技巧 1) 灵活选用，已知Ib、Ic、Ie时各用第一、二、三个公式。 2) 计算rbe时UT单位应使用mV，电流Ib、Ic或Ie单位应使用mA，这样所计算rb’e的单位是Ω，与rbb‘单位相同，便于直接相加，不易出错。还应记住常温条件下UT=26mV。 3) rbb‘=200Ω~300Ω，作为一个已知条件使用。未给定rbb‘时，可以令rbb‘=200Ω或300Ω进行试算。 (1.3.2) 或 BJT输入电阻计算公式 2. 三极管传输特性—基极电流放大为集电极电流 图1.3.6 BJT传输特性曲线 从(1.3.3)可看出，基极电流较大、放大的集电极电流也较大时，由于电阻Rc压降的影响，BJT集-射压降作为一个派生参数，自然降低为很小的数值。 基极电流很大但集-射压降很小时，集电极电流不再与基极电流同比上升，原因是集-射压降小就意味着BJT净动力少。把基极电流很大，集-射压降变得很小，外部动力不足，基极电流消化不了的现象，叫做饱和。BJT饱和就像动物