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由于磁电传感器输出电动势大小与运动速度呈正比,实质上只是测速传感器,速度量经积分之后得到位移量,速度量经微分之后得到加速度量,所以实际测量中也用来测位移和加速度。 K=1,积分,测位移 K=2,比例,测速度 K=3,微分,测加速度 4、磁电式速度传感器工作原理 第七章、压电式传感器 一、压电效应 当某些单晶体或多晶体陶瓷在一定方向上受到外力作用时,在某两个对应的晶面上,会产生符号相反的电荷,当外力取消后,电荷也消失。作用力改变方向(相反)时,两个对应面上电荷符号改变,该现象称正压电效应;反之,某些晶体在一定方向上受到电场(加电压)作用时,在一定的晶轴方向上将产生机械变形,外加电场消失,变形也随之消失,该现象称逆压电效应。 压电式传感器的工作原理是基于某些电介质材料的压电效应。它是典型的有源传感器。电介质材料中石英晶体(SiO2)电介质是最常用的压电材料。还有一类人工合成的多晶体陶瓷电介质,如钛酸钡、铁钛酸铅等,也作为压电材料得到应用。 二、压电式传感器及其等效电路 压电式传感器中的压电元件是石英晶体切片或压电陶瓷,当受力作用后,在相应的两块电极板表面上出现异性电荷Q,两电极板间有电位差,即电压UO;压电材料是电介质(绝缘材料),故压电元件上两块金属电极板间相当一个电容器;此外,两块电极板间有绝缘电阻Ra 以上Q、Ca、Ra三个是并联关系,故压电元件的等效电路如图所示。通常压电元件上形成的信号电压不会很大,而电介质的绝缘电阻Ra却很大,故并联等效电路中Ra可以忽略,简化的电路图如图所示。 如果施加于晶片的外力不变时,两极板上就会积聚电荷。在外力不变时,理想的情况是电荷量保持不变;但实际上,两极板上的电荷会逐渐减少。 其原因: 1)压电晶体内部泄漏; 2)外接电路释放。 一般来说,压电晶体内部泄漏很小,因此压电晶体内部可以等效为一个电荷源和一个电容器 利用压电式传感器测量静态或准静态量值时,若后续电路阻抗有限,传感器极板上的电荷就会越放越少。因此,必须采取一定措施,使电荷从压电晶片经测量电路的漏失减小到足够小的程度;在测量动态交变力时,电荷可以不断补充,供给测量电路一定的电流,故压电传感器适宜作动态测量。 实际压电传感器中,往往用两个或两个以上的晶片进行串接或并接。 并接时电容量大,输出电荷量大,时间常数大,宜于测量缓慢信号, 串接时电容小,输出电压大,适用于以电压作为输出信号的场合。 三、测量电路 利用压电式传感器进行测量时,压电元件输出的信号是电荷量的变化,配上适当的电容后,它的输出电压值可高达几十伏甚至几百伏,但信号功率很小,即信号源内阻很大。这就要求与它配接的测量电路具有较大的输入电阻。为此,在压电元件输出与测量电路之间配接一个放大器,要求该放大器具有高输人阻抗、低输出阻抗的特点,起着阻抗变换的作用。目前用的较多的是电荷放大器。 电荷放大器是一种利用电容进行负反馈的高放大倍数运算放大器。考虑到压电元件输出与电行放大器之间的连接电缆具有分布电容及电荷放大器的输入电容;,忽略放大器较高的输入电阻后,其等效电路如图所示。图中K为运算放大器开环基模放大倍数(开环增益), Ci为反馈电容。 上式表明,在一定条件(开环增益足够大)下,电荷放大器的输出与传感器电荷量成正比,并且与电缆分布电容无关,因此电缆长度基本不受限制。 第八章、光电式传感器 一、光电效应 光电元件的物理基础是光电效应。从物理学角度来说,光可以看做是由一连串具有一定能量的粒子(称为光子)所构成;每个光子具有的能量为hf(h为普朗克常数,f为光的频率)。当采用光照射某一物体时,该物体就受到一连串能量为hf的光子所轰击,其内部电子获得能量并释放出来的现象,便称为光电效应。 光电传感器通常是指能敏感到由紫外线到红外线光的光能量,并能将光能转化成电信号的器件。其工作原理是基于一些物质的光电效应。 光电效应可分为二大类: 1、外光电效应 在光照作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。(光电管,光电倍增管) 2、内光电效应 当光照射在物体上时,使物体电导率发生变化,或产生光生电动势的效应叫内光电效应。 a)其中使材料电导率发生变化的现象称为光电导效应。(光敏电阻,光敏三极管,光敏二极管) b)其中使材料产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。(光电池) 二、光敏电阻 光敏电阻在受到光的照射时,由于内光电效应使其导电性能增强,电阻值下降。光线越强其电阻值越小。当光照停止时.光电效应消失,电阻恢复原值。因而可将光信号转换为电信号。 1、光敏电阻的基本特性 1)暗电阻、亮电阻和光电流 未受光照时的电阻值——暗电阻,此时流过的电流称为暗电流 受到光照时的电阻值——亮电阻,此时流过的电流称为亮电流 光电流=亮电流-暗电流 亮电阻几KΩ,暗电阻几
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