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单片射频微波集成电路技术与设计 MMIC开关和衰减器.docVIP

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  • 2019-12-23 发布于湖北
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单片射频微波集成电路技术与设计 MMIC开关和衰减器.doc

    电子科技大学 400um单栅指结构的0.15um HJFET MMIC工艺 构成的并联SCDF开关；芯片大小为 0.4 × 0.07mm 2 最大插入损耗为1.37dB，最小隔离度为22dB， 在60GHz，隔离度可以增加到40dB。分布式电路能 提供随频率增加而增加的隔离度，这与传统集总 元件电路不同 21 ?开关衰减器 电子科技大学 开关衰减器示意图 22

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