半导体器件与整流电路和直流稳压电源.pptVIP

* * * * * * 2. 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性的测出。 V mA V D R RW （a）测正向特性 V mA V D R RW （b）测反向特性 2. 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线 ① 正向特性 死区电压：硅管 0.5V 锗管 0.1V 正向压降：硅管 0.6V～0.7V 锗管 0.2V～0.3V 二极管伏安特性 正向特性 C D o B A UBR UD ID 2. 二极管的伏安特性 ② 反向特性 反向电流：很小。 硅管 0.1微安 锗管 几十个微安 ③ 反向击穿特性 反向击穿UBR:几十伏以上。 二极管伏安特性 反向击穿特性 C D o B A UBR UD ID 反向特性 3. 二极管的主要参数 最大整流电流IOM：二极管长期工作使用时，允许通过的最大平均电流。 最高反向工作电压URM：二极管反接时，能承受的最大电压，它的数值低于反向击穿电压UB 。 最大反向电流IRM：二极管加最高反向工作电压时的反向电流。 C D o B A UBR UD ID 1.3 稳压二极管 稳压二极管亦称齐纳二极管(Zener Diodes)，与一般二极管不同之处是它正常工作在PN结的反向击穿区。因其具有稳定电压作用，故称为稳压管（Voltage Regulators）。 稳压管的符号和特性曲线如图所示。 1.3 稳压二极管 它的伏安特性与二极管基本相同，只是稳压管正常工作时是利用特性曲线的反向击穿区。 U I O UZ IZ ? UZ ? IZ IZM （b） 阴极 阳极 （a） DZ 电流改变而电压基本不变的特性称为稳压特性，稳压管就是利用这一特性工作的。 稳压管的主要参数： 稳定电压UZ UZ是稳压管反向击穿后的稳定工作电压值。 1.3 稳压二极管 U I O UZ IZ ? UZ ? IZ IZM （b） 稳定电流IZ 稳定电流IZ是稳压管工作时的参考电流数值。 工作电流若小于稳定电流IZ，稳压性能较差； 工作电流若大于稳定电流，稳压性能较好，但是要注意管子的功率损耗不要超出允许值。 1.3 稳压二极管 U I O UZ IZ ? UZ ? IZ IZM （b） 最大稳定电流IZM 稳压管正常工作时允许通过的最大反向电流。 1.3 稳压二极管 U I O UZ IZ ? UZ ? IZ IZM （b） 如图，考虑二极管正向压降。若Ia=10mA,则 ① Ib=20mA ② Ib20mA ③Ib20mA 例一 10V + _ R D Ia （a） 20V + _ R D Ib （b） 解： 例二:忽略二极管正向压降。已知ui=10sinωt V,画出图中输出电压uo波形。 uoa ui + _ R D （a） + _ uoa π 2π 3π 4π t w o uob π 2π 3π 4π t w o u π 2π 3π 4π t w o 10V + _ R D （b） 5V uob + _ ui c d a b c a b 1.3 半导体三极管 1. 晶体管的结构和类型 外形 3AX31 3DG6 外形示意图 半导体三极管图片 1. 晶体管的结构和类型 内部结构 c集电极 b基极 集电区 P N基区 发射区 P 集电结 发射结 e发射极 (a) PNP型 c集电极 b基极 集电区 N P基区 发射区 N 集电结 发射结 e发射极 (b) NPN型 1. 晶体管的结构和类型 符号 e b c (a) PNP型 e b c (b) NPN型 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 2. 三极管的放大作用 　E 　C 　B IB/mA IC/mA IE/mA -0.001 0.001 0 0 0.01 0.01 0.01 0.50 0.51 0.02 1.00 1.02 0.03 1.70 1.73 0.04 2.50 2.54 0.05 3.30 3.35 实验数据 ①IE = IC+IB 结论 ② ③ IB/mA IC/mA IE/mA -0.001 0.001 0 0 0.01 0.01 0.01 0.50 0.51 0.02 1.00 1.02 0.03 1.70 1.73 0.04 2.50 2.54 0.05 3.30 3.35 结论 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB E