气相沉积技术应用.ppt

* * LCVD主要有两类：热解LCVD和光分解LCVD。 LCVD的应用包括激光光刻、大规模集成电路掩膜的修正、激光蒸发一沉积以及金属化。 * * PVD和CVD两种工艺的对比 工艺温度高低是CVD和PVD之间的主要区别。 温度对于高速钢镀膜具有重大意义。CVD法的工艺温度超过了高速钢的回火温度，用CVD法镀制的高速钢工件，必须进行镀膜后的真空热处理，以恢复硬度。镀后热处理会产生不容许的变形。 * * PVD和CVD两种工艺的对比 CVD工艺对进入反应器工件的清洁要求比PVD工艺低一些，因为附着在工件表面的一些脏东西很容易在高温下烧掉。此外，高温下得到的镀层结合强度要更好些。 * * PVD和CVD两种工艺的对比 CVD镀层往往比各种PVD镀层略厚一些， CVD镀层往往厚度在7.5μm左右， PVD镀层通常不到2.5μm厚。 CVD镀层的表面略比基体的表面粗糙些。 相反，PVD镀膜如实地反映材料的表面，不用研磨就具有很好的金属光泽，这在装饰镀膜方面十分重要。 * * PVD和CVD两种工艺的对比 CVD反应发生在低真空的气态环境中，具有很好的绕镀性，所以密封在CVD反应器中的所有工件，除去支承点之外，全部表面都能完全镀好，甚至深孔、内壁也可镀上。 相对而论，所有的PVD技术由于气压较低，绕镀性较差，因此工件背面和侧面的镀制效果不理想。 PVD的反应器必须减少装载密度以避免形成阴影，而且装卡、固定比较复杂。 在PVD反应器中，通常工件要不停地转动，并且有时还需要边转边往复运动。 * * PVD和CVD两种工艺的对比 在CVD工艺过程中，要严格控制工艺条件，否则，系统中的反应气体或反应产物的腐蚀作用会使基体脆化，高温会使TIN镀层的晶粒粗大。 * * CVD和PVD这两种工艺的成本比较 最初的设备投资PVD是CVD的3～4倍， 而PVD工艺的生产周期是CVD的1／10。 在CVD的一个操作循环中，可以对各式各样的工件进行处理，而PVD就受到很大限制。 综合比较可以看出，在两种工艺都可用的范围内，采用PVD要比CVD代价高。 * * 操作运行安全问题 PVD是一种完全没有污染的工序，有人称它为“绿色工程”。 而CVD的反应气体、反应尾气都可能具有一定的腐蚀性、可燃性及毒性，反应尾气中还可能有粉末状以及碎片状的物质，因此对设备、环境、操作人员都必须采取一定的措施加以防范。 * * 膜／基体系的选择 选择膜/基体系时，应考虑膜/基之间的相互作用，对硬质镀层最重要的要求是膜/基之间的结合强度。硬质镀层主要用于受力、耐磨的工况下，如切削刀具工作时刀尖和切削刃附近会产生非常大的作用力和很高的温度，结合强度要能承受这种作用力。 为数众多的硬质材料可以按照其化学特性分成三个组： 金属键（M）、 共价键（C） 和离子键（I）。 * * 三类硬质材料 共价键材料具有最高的硬度，金刚石、立方氮化硼和碳化硼均在此组内。 离子键材料具有较好的化学稳定性。 金属键材料具有较好的综合性能。过渡金属的氮化物（N）、碳化物（C）和硼化物（B）在硬质材料中占有特别重要的地位。 * * 三类硬质材料的对比 * * * * * * 薄膜可以定义为：按照一定的需要，利用特殊的制备技术，在基体表面形成厚度为亚微米至微米级的膜层。 从原子尺度来看，薄膜的表面呈不连续性，高低不平，薄膜内部有空位、位错等缺陷，并且有杂质的混入。 如单晶薄膜、 多晶薄膜、 非晶态薄膜、 亚微米级的超薄膜 以及晶体取向外延薄膜等。 * * 2．薄膜的基本性质 （1）力学性质 其弹性模量接近体材料，但抗拉强度明显地高于体材料，有的高达200倍左右。这与薄膜内部高密度缺陷有关。 （2）导电性。其与电子平均自由程λf和膜厚t有关。 在t＜λf时：如果薄膜为岛状结构，则电阻率极大；t增大到数十纳米后，电阻率急剧下降；多晶薄膜因晶界的接触电阻大而使其电阻比单晶薄膜大。 在t?λf时，薄膜的电阻率与体材料接近，但比体材料大。 * * （3）电阻温度系数。 一般金属薄膜的电阻温度系数也与膜厚t有关，t小于数十纳米时为负值，而大于数十纳米时为正值。 （4）密度。 一般来说，薄膜的密度比体材料低。 （5）时效变化。 薄膜制成后，它的部分性质会随时间延长而逐渐变化；在一定时间或在高温放置一定时间后，这种变化趋于平缓。 * * 实验室CVD设备（1） * * 实验室CVD设备（2） * * 实验室CVD设备（3） * * 实验室CVD设备（4） * * CVD技术分类（历史性发展） 1）从源物质的种类 ★卤化物CVD (60-70 年代） ★MOCVD （1976年） 2）从体系操作压力 ★ 常压（大气压）CVD ★ LPCVD （高度均匀, PL