哈工大微电子工艺绪论单晶硅.ppt

* 母合金掺杂 将杂质元素先制成硅的合金（如硅锑合金，硅硼合金），再按所需的计量掺入合金。这种方法适于制备一般浓度的掺杂。 采用母合金掺杂方式的原因是：掺入杂质剂量很小，如电阻率为1Ωcm的n-Si，杂质为砷时，由电阻率-掺杂浓度曲线，砷杂质浓度6*1015/cm3,硅单位体积原子数5*1022/cm3，5千克硅，只需掺入1毫克砷，计量很小，误差难免，如果采用砷硅合金的话，就能增加掺入计量，从而减小误差。 * 气相掺杂区熔硅单晶 利用杂质的扩散机理，在用区熔法拉制硅单晶的过程中加入气相杂质氛围，并通过控制杂质气体的杂质含量和气体流量的方法控制单晶的电阻率。 在单晶炉内通入的惰性气体中加入一定量的含掺杂元素的杂质气体。在杂质气氛下，蒸发常数小的杂质部分溶入熔体硅中，掺入单晶体内。无坩埚生长单晶法，一般采用气相掺杂方法。 * NTD法是一种内掺杂方法，所用原始硅单晶是不掺杂的本征单晶，将它放在原子反应堆中进行中子辐照，使硅中的天然同位素30Si俘获中子后产生不稳定的31Si,经过半衰期(2.62h)的β衰变生产不稳定的31P，从而实现对硅单晶的磷(n型)掺杂 硅有三种同位素：28Si 92.28% , 29Si 4.67% ,30Si 3.05%，其中30Si有中子嬗变现象： 30Si 31Si+α 31Si 31P+β 中子辐照（NTD）掺杂Neutral Transmutation Doping Silicon Monocrystal 中子 半衰期2.62h * 中子辐照（NTD）掺杂Neutral Transmutation Doping Silicon Monocrystal 可得到高均匀性的NTD硅单晶。 最大掺杂浓度，1.53*1021/cm3 为了消除硅单晶在反应堆中受到中子辐照而产生的快中子轰击位错、γ通量感生位错等辐照损伤缺陷，提高中照单晶的少子寿命，需要将NTDSi在HCl、O2、和Ar气氛中进行高温(800℃～950℃)热处理。 * CZ法熔料中环流形成 熔体表面中心处温度最低，坩埚壁面和底部温度最高。熔体的温度梯度带来密度梯度，坩埚壁面和底部熔体密度最低，表面中心处熔体密度最高。地球重力场的存在使得坩埚上部密度高的熔体向下，而底部、壁面密度低的熔体向上流动，形成自然对流。 熔体流动的危害： 1）引起生长条纹的产生，有损晶体均匀性； 2）对流使坩埚中的氧进到熔体表面，使晶体中氧量增加。 * 磁控直拉法（MCZ法） 在直拉法单晶炉上附加了一个稳定的强磁场，工艺与一般直拉法相同，能生长大直径的，无氧的，均匀的单晶硅。 在CZ法单晶炉上加一强磁场，高传导熔体硅的流动因切割磁力线而产生洛仑兹力，这相当于增强了熔体的粘性，熔体对流受阻。 洛仑兹力 F=qν×B MCZ单晶炉 西安理工大学工厂承担的国家863计划项目，07年6月15日通过了中国科技部的验收 * 水平磁场与坩埚内熔体各部位的相互作用 * MCZ法拉制Si棒照片 北京有色金属总院采用MCZ法生产的12吋硅棒，等经长400mm，晶体重81Kg。 * 悬浮区熔法（FZ法） 悬浮区熔法，多晶与单晶均由夹具夹着，由高频加热器产生一悬浮的溶区，多晶硅连续通过熔区熔融，在熔区与单晶接触的界面处生长单晶。熔区的存在是由于融体表面张力的缘故，悬浮区熔法没有坩埚的污染，因此能生长出无氧的，纯度更高的单晶硅棒。 悬浮区熔装置示意图 * 不同生长技术可获得的最小载流子浓度 三种方法比较 直拉法工艺成熟，可拉出大直径硅棒是目前采用最多的硅棒生产方法，但有氧。 磁控直拉法能生长无氧、均匀好的大直径单晶硅棒。设备较直拉法设备复杂得多，造价也高得多，强磁场的存在使得生产成本也大幅提高。 悬浮区熔法与直拉法相比，去掉了坩埚，能拉制出无氧高阻单晶，当前FZ硅的电阻率可达5000Ω·cm以上 * 1.6.3 硅片制造 切片工艺流程： 单晶生长 → 切断 → 滚磨 → 定晶向 → 切片→ 倒角 → 研磨 → 腐蚀 → 抛光 →清洗 → 包装 * 定晶向 硅片主要晶向、晶型的定位平边 用X射线衍射确定晶向，X射线被晶体衍射时，通过测量衍射线的方位可以确定出晶体取向 * 切片，倒角，抛光 切片，（111）（100）切片偏差小于±1°，但外延用（111）片应偏出3±0.5°。 倒角，将切割好的晶片的锐利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生 抛光，单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度的抛光面。抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。??抛光的方式：先粗抛，去除损伤层，一般去除量约在10-20μm；再