表 与雷电流对应的滚球半径 防 雷 建筑物类别 雷电流(kA) 对应的滚球半径R(m) 首次雷击 后续雷击 首次雷击 后续雷击 第一类 200 50 313 127 第二类 150 37.5 260 105 第三类 100 25 200 81 距离sa应按下面两式式确定: 当H<R 时 sa= +L/2 当H≥R 时 sa = R + L/2 注:1、长度L根据具体情况可用宽度W 代入。 2、对所取距离sa小于上面两式任一计算值 的情况,闪电将直接击在建筑物上。 ② 当有屏蔽时,即在格栅形大空间屏蔽内(此空间看作是LPZI区),磁场强度从H0减为H1其值应按下式计算: H1=H0/10sf/20(A/m)式中SF—屏蔽系数(dB),按下表中公式计算。 附近雷击时的环境情况(Sa:雷击点至屏蔽空间的平均距离) 表 格栅形大空间屏蔽的屏蔽系数 注:1、适用于首次雷击的磁场; 2、适用于后续雷击的磁场; 3、相对磁导系数μr≈200; 4、W—格栅形屏蔽的网格宽度(m),r—格栅形屏蔽网格导体的半径 (m)。 5、当计算式得出的值为负数时取SF=0;若建筑物具有网格形等电位 连接网络,SF可增加6dB。 上表中的计算值仅对在各LPZ区内距屏蔽层有一安全距离ds/1的安全空间Vs内才有效(见图),ds/1应按下列方法计算: 当SF≥10 时ds/1 = w·SF/10 (m) 当SF<10 时ds/1 = w (m) 式中 w — 格栅形屏蔽的网格宽(m); SF —按表中计算的屏蔽系数(dB)。 图 在LPZ1或LPZn放置信息设备的空间 ③ 闪电直接击在位于LPZ 0A区的格栅形大空间屏蔽或与其连接的接闪器上的情况下,其内部LPZ1区内Vs空间内某点的磁场强度H1应按下式计算: ) (A/m) 式中 dr— 所考虑的点距LPZ 1区屏蔽顶的最短距离(m); dw— 所考虑的点距LPZ 1区屏蔽壁的最短距离(m); kH— 形状系数(1/ ),取kH =0.01(1/); w — LPZ1区格栅形屏蔽的网格宽(m); i0 — LPZ0区中的雷电电流(A)。 上式的计算值仅对距屏蔽格栅有一安全距离ds/2的空间Vs内有效,应符合下式的要求。 ds/2 = w (m) 电子系统应仅安装在Vs空间内。 图 闪电直接击于屋顶接闪器时LPZ 1区内的磁场强度 ④ 流过包围LPZ2区及以上区的格栅形屏蔽的分雷电 流将不会有实质性的影响作用,处在LPZn区内LPZn+1区 的磁场强度将由LPZn区内的磁场强度Hn减至LPZn+1区内 的Hn+1,其值可近似地按下式计算。 Hn+1 = Hn/10SF/20 (A/m) 注:式中的SF为LPZn+1区屏蔽的屏蔽系数。 上式适用于LPZn+1区内距其屏蔽有一安全距离ds/1的空间Vs。 ds/1应按 当SF≥10 时 ds/1 = w·SF/10 (m) 当SF<10 时 ds/1 = w (m) 式计算。 图 LPZ2区内的磁场强度 ①? 屏蔽是减少电磁干扰的基本措施。 ②?依据各种设备抗电磁干扰的能力、视不同情况做不同等级的屏蔽。 ③?最初级的屏蔽是利用建筑物的框架钢筋、做等电位连接,并与防雷接地相连接。 ④?对计算机等信息系统抗电磁脉冲干扰能力弱的设备,需要对其做高级的屏蔽。即用金属网、板等屏蔽。如在计算机房外加金属屏蔽层,金属屏蔽网需用格栅形钢筋构成,网格宽度应小于5m。设备放在建筑物顶层时,其层面宜设置不大于1000mm×1000mm的金属网格增加屏蔽,且金属网格与屋面避雷带要有多点电气连接,连接间隔不应大于18m等等。 ⑤ 进入建筑物中要保护空间的各种线缆,其屏蔽层应至少在两端或在雷电保护交界处做等电位连接。使用非金属电缆,入户前应穿金属管并埋入地中水平距离15m(视不同情况)。当信息系统要求只在一端做等电位连接时,可将屏蔽电缆穿金属管引入,金属管在一端做等电位连接。 ??7、跨步电压与接触电压的防护
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