半导体照明技术应用第九章铟镓氮发光二极管.pptVIP

9.4.6 图形衬底侧向外延技术 在图形蓝宝石衬底(PSS)技术中，广泛采用干法刻蚀方法制备图形衬底. 采用图形衬底生长的LED，出光效率得到有效的提高。通过侧向外延的方法在图形衬底上生长GaN,晶体质量得到有效提高，另外，图形化的衬底使得衬底的反射率提高。 不同于平板蓝宝石衬底上的GaN 外延，在PSS衬底上进行GaN 生长时，需控制生长过程，使得GaN 在一定程度上横向生长，进而填充衬底图案。 *摘自范冰丰博士论文 9.4.6 图形衬底侧向外延技术 A 为低温缓冲层阶段，在衬底表面沉积一层GaN 薄膜； 经过高温重结晶之后，衬底表面的GaN 开始分解，在PSS 衬底的谷底成核，如B 所示； 高温缓冲层阶段，谷底成的核增大并逐步愈合，如C 所示； 调整横向和纵向的生长速度，使得GaN 能够填充谷底，如D 所示。 *摘自范冰丰博士论文 9.4.7 微矩阵发光二极管 直径为8~20um，面积为490×490um, LED的出光得到提高 增加出光的因素：小微矩大小接近出光波长，减少吸收；水平方向的出光增强 减少出光的因素：表面增加，表面缺陷产生更多的非发光辐射。 IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 15, 510-512, 2003 9.4.7 微矩阵发光二极管 采用倒装结构，在蓝宝石出光面上形成微透镜，其出光角度和出光效率均得到改善 9.4.8 光子晶体LED 光子晶体(photonic crystals)：介电常数呈周期性分布的介质材料，具有特异的光学性质 光子晶体光纤 光子晶体波导 9.4.8 光子晶体LED 半导体 光子晶体 结构 周期势场 不同介电常数介质的周期分布 研究对象 电子 光子 描述方程 薛定谔方程 Maxwell方程 本征矢 标量 矢量 角动量 费米子 玻色子 相互作用 必须考虑电子间的相互作用 无 9.4.8 光子晶体LED 光子晶体的一个最重要的光学特性是可以具有光子带隙 光子带隙中对应频率的光将无法通过光子晶体，可实现对光子传播的操控 正方晶格圆形散射子，?=0，f=0.8时的能带图。摘自陈小冰本科论文 例子：光子晶体光纤对光传播的限制 9.4.8 光子晶体LED 光子晶体在LED中的应用 Phys. Rev. Lett. 1997, 78: 3294 萃取效率可达到94% 5-pair Journal of Crystal Growth 272 (2004) 322–326 一维光子带隙：DBR结构 二维光子带隙 光子晶体技术：表面萃取 OPTICS EXPRESS， 2011 19 A1104 采用阳极氧化铝模板做掩膜，制作表面光子晶体，LED光效提高了94% 金属垂直光子LED 旭明（SemiLEDs）的专利产品MVPLED 在P型表面蒸镀高反射的反射层 蓝宝石衬底剥离 转移到合金衬底 上 制作n型电极和n层表面图形化 热阻仅为0.22℃/W 垂直型LED，工作电压降低 * 1.硅衬底上使用高温的AlN（HT-AlN）和低温的AlN（LT-AlN）都获得了高晶体质量的GaN薄膜。 2.高温1000,低温500~800, AlN的晶格常数小于GaN，厚的AlN或高Al层可以进行应力补偿。 3.利用Al2O3缓冲层作为GaN生长的等效衬底。这种方法的好处是硅衬底和蓝宝石衬底外延生长的技术可以结合起来 * 1. 厚度为10–20 nm的LT-AlN，可释放硅衬底上0.7–1 μm厚的GaN的应力，而且不会降低GaN的晶体质量 2.超晶格结构作为插入层，可使界面处的位错在延伸方向发生弯曲，可以有效的减少界面的位错密度 3. SixNy的厚度一般在几个原子层量级，作用是作为GaN侧向过生长的掩膜,硅表面活性较大，在硅表面引入SixNy很难控制。在AlN缓冲层上引入1-1.5个原子层厚度的SixNy中间层 4.AlGaN插入层一般在AlN和GaN之间，起到晶格的应力缓冲的作用，一般采用渐变或层变的形式。 第九章 铟镓氮发光二极管 MOCVD: Basic MOCVD: 一种在固体衬底(wafers)上外延生长半导体薄膜的方法. 外延（ epitaxy ）：在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段 MOCVD: Basic Material System III-Nitride InP GaAs Substrate Heteroepitaxy -nucleation layer Bulk InP -direct growth Bulk GaAs -direct growth Growth temperature 1000℃ ~500℃ 600-700℃ V/III Ra