集成电路制造技术应用.ppt

* * * * 滚磨 （111）晶向单晶硅棒有三个棱，（100）晶向有四个棱，经滚磨使单晶硅达到标准直径。 定晶向 可以采用X射线方法确定晶向，并切出参考面。当X射线被晶体衍射时，通过测量衍射线的方位可以确定出晶体取向。 化学腐蚀 用化学腐剂腐蚀去除滚磨造成的损伤，化学腐剂腐蚀为各向同行腐蚀液：HF：HNO3=3：1。 切片 以主参考面为基准切大圆片。（111）（100）切片偏差小于±1°，但外延用（111）片应偏出30．5°。 倒角 采用研磨法给大圆片倒角，避免在后面的工艺生产中因角碎带来污染。 研磨 用研磨液淹没，以保证表面平整，达到平行度的要求。 化学腐蚀 以去除研磨造成的损伤，化学腐蚀同（3）。 测试 测硅片厚度和电阻率。由电阻率ρ可知硅片的掺杂浓度N。电阻率ρ测量，一般采用四探针方法。 做背损伤 主要方法有研磨、喷砂，及重金属离子注入。这道工序根据需要而定。损伤层能吸收金属杂质和点缺陷（间隙杂质）。 抛光 将硅片表面最后用抛光液抛光。 清洗 进行化学和机械清洗。 检验 检验表面清洁和平整度。 * 2.2.3晶体掺杂 轻掺杂（ n-—Si、p--Si），杂质浓度在1014—1016/cm3之间，多用于大功率整流器件； 中等掺杂（n—Si、p—Si ），杂质浓度在1016—1018/cm3之间，主要用于晶体管器件； 重掺杂（n+—Si p+—Si），杂质浓度在1018—1020 /cm3之间，是外延用的单晶衬底。 * 液相掺杂 直接掺元素 母合金掺杂 气相掺杂 中子辐照（NTD）掺杂--中子嬗变掺杂技术 掺杂方式 * 液相掺杂可直接在坩埚内加入杂质元素制造特定电阻率圆片。 对于固相-液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的分凝现象。 杂质分凝作用的大小描述----分凝系数k，定义为杂质在固相中的溶解度与杂质在液相中的溶解度之比 k=Cs/Cl 液相掺杂----分凝（segregation）与蒸发 * 液相掺杂----分凝（segregation）与蒸发 蒸发常数E 是指坩埚中熔体内的杂质从熔体表面蒸发到气相中的现象，用蒸发常数E来表征杂质蒸发的难易。 N=EACl 杂质浓度分布与k、E有关。 N:气相杂质浓度 A:液相面积 * 硅中常见杂质的分凝系数和蒸发常数 分凝系数很小的杂质不能用液相掺杂方法 蒸发常数太大的杂质不能用液相掺杂方法 表2-1 硅中常见杂质的分凝系数和蒸发常数 参数 B Al Ga In O P As Sb 分凝系数 0.80 0.0018 0.0072 3.6*10-4 0.25 0.35 0.27 0.02 蒸发常数 5×10-6 10-4 10-3 5×10-3 10-4 5×10-3 7×10-2 * 分凝对杂质分布均匀性影响 在CZ法长晶中，若液体凝固速度极为缓慢，杂质在熔融液中始终均匀分布，且杂质在固态晶体内扩散现象不明显，则晶棒内轴向杂质分布浓度 * 例题 从含有0.01%磷的熔料中拉制硅棒，求：①晶棒顶端磷浓度；②如果晶棒长1m，截面均匀，在何处磷浓度是晶棒顶端处的2倍（kP=0.35）（答:约0.67） 晶棒顶端杂质浓度为C0，x处杂质浓度为Cx=2C0 * 母合金掺杂 将杂质元素先制成硅的合金（如硅锑合金，硅硼合金），再按所需的计量掺入合金。这种方法适于制备一般浓度的掺杂。 采用母合金掺杂方式的原因是：掺入杂质剂量很小，如电阻率为1Ωcm的n-Si，杂质为砷时，由电阻率-掺杂浓度曲线，砷杂质浓度6*1015/cm3,硅单位体积原子数5*1022/cm3，5千克硅，只需掺入1毫克砷，计量很小，误差难免，如果采用砷硅合金的话，就能增加掺入计量，从而减小误差。 * 气相掺杂区熔硅单晶 利用杂质的扩散机理，在用区熔法拉制硅单晶的过程中加入气相杂质氛围，并通过控制杂质气体的杂质含量和气体流量的方法控制单晶的电阻率。 在单晶炉内通入的惰性气体中加入一定量的含掺杂元素的杂质气体。在杂质气氛下，蒸发常数小的杂质部分溶入熔体硅中，掺入单晶体内。无坩埚生长单晶法，一般采用气相掺杂方法。 * NTD法是一种内掺杂方法，所用原始硅单晶是不掺杂的本征单晶，将它放在原子反应堆中进行中子辐照，使硅中的天然同位素30Si俘获中子后产生不稳定的31Si,经过半衰期(2.62h)的β衰变生产不稳定的31P，从而实现对硅单晶的磷(n型)掺杂 硅有三种同位素：28Si 92.28% , 2