半导体中杂质与缺陷.pptVIP

相界面 1、相：在物理化学中已有了明确的解释。它是指成分相同、(晶体)结构相同、有界面和其它部分分开的物质的均匀组成部分。 2、相界面：两种不同相的分界面。液体的表面是液相和气相的分界面；晶体的表面是晶体和气相(或液相)的分界面；两个不同的固相之间的分界面也是相界面，在我们的课程中主要是指后者。 3、相界面的主要特性：相界面的结构和晶界有一定的共性，也有一些明显的差别。 （1）非共格界面类似大角度晶界， （2）完全共格是困难的，共格面两边微少的差别可以用晶格的畸变来调整，界面两边差别不十分大时，将可以补充一定的位错来协调，组成半共格界面。 无论那种情况，界面都存在自己的界面能，都将对材料的结构形貌(组织)带来明显的影响。 包裹体是晶体生长过程中界面所捕获的夹杂物。它是一种严重影响晶体性质的体缺陷。 产生的原因： 1、可能是晶体原料中某一过量组分形成的固体颗粒， 2、也可能是晶体生产过程中坩埚材料带入的杂质微粒。 对材料性质的影响： 1、如造成光散射，或吸收强光引起发热从而影响晶体的强度。 2、由于包裹体的热膨胀系数一般与晶体不同，在单晶体生长的冷却过程中会产生体内应力，造成大量位错的形成。 体缺陷 思考题： 说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电离能的数值较小？ 纯锗、硅中掺入Ⅲ族或Ⅴ族元素后，为什么使半导体电性能有很大的改变？ 杂质半导体（p型或n型）应用很广，但为什么我们很强调对半导体材料的提纯？ 把不同种类的施主杂质掺入同一种半导体材料中，杂质的电离能和轨道半径是否不同？把同一种杂质掺入到不同的半导体材料中（例如锗和硅），杂质的电离能和轨道半径又是否都相同？ 何谓深能级杂质？它们电离以后有何特点？ 为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级？ 说明掺杂对半导体导电性能的影响。 说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？ 什么叫杂质补偿？什么叫高度补偿的半导体？杂质补偿有何实际应用？ 6. 深杂质能级 根据杂质能级在禁带中的位置，杂质分为： 浅能级杂质→能级接近导带底Ec或价带顶Ev，电离能很小 深能级杂质→能级远离导带底Ec或价带顶Ev，电离能较大 EC ED EV EA Eg EC EA EV ED Eg 例：在Ge中掺Au 可产生3个受主能级，1个施主能级 Au的电子组态是：5s25p65d106s1 Au Ge Ge Ge Ge Au+ Au0 Au- Au2- Au3- 多次电离，每一次电离相应地有一个能级 既能引入施主能级．又能引入受主能级 1. Au失去一个电子—施主 Au＋ Ec Ev ED ED=Ev+0.04 eV 由于金的这个价电子被共价键束缚，电离能很大，略小于锗的禁带宽度，所以，这个施主能级靠近价带顶。 金是I族元素，中性金原子只有一个价电子，取代锗原子后，这个价电子，可以电离而跃迁如导带。 Ec Ev ED EA1 Au－ 2. Au获得一个电子—受主 EA1= Ev + 0.15eV 另一方面，中性金原子还可以和周围的四个锗原子形成共价键，在形成共价键时，可以从价带接受三个电子，形成EA1、EA2、EA3。 3.Au获得第二个电子 Ec Ev ED EA1 Au2－ EA2= Ec - 0.2eV EA2 4.Au获得第三个电子 Ec Ev ED EA1 EA3= Ec - 0.04eV EA2 EA3 Au3－ 由于电子间的库仑排斥作用，金从价带接受第二个电子所需要的电离能比第一个电子时的大，接受第三个电子所需要的电离能又比第二个电子时的大，形成EA3EA2EA1。 深能级杂质特点： 不容易电离，对载流子浓度影响不大； 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低。 Ec Ev ED EA Au doped Silicon 0.35eV 0. 54eV 1.12eV §2-2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的杂质 理想的GaAs晶格 价键结构： 含有离子键成分的共价键结构 Ga- As Ga Ga As Ga As+ Ga As Ga 施主杂质 替代Ⅴ族元素 受主杂质 替代III族元素 两性杂质 III、Ⅴ族元素 等电子杂质——同族原子取代 ●等电子杂质 等电子杂质是与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子．替代了同族原子后，基本仍是电中性的。但是由于共价半径和电负性不同，它们能俘获某种载流子而成为带电中心。带电中心称为等电子陷阱。 例如，N取代GaP中的P而成为负电中心 电子陷阱 空穴陷阱 点缺陷：空位、间隙原子 线缺陷：位错 面缺陷：层错、晶界 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 1、缺陷的类型 §2-4