电工电子学第9章半导体二极管、三极管.pptVIP

2 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流IB E区电子到基区B后，有两种运动 扩散IEC 复合IEB 同时基区中的电子被EB拉走形成 IB IEB=IB时达到动态平衡 形成稳定的基极电流IB IB是由复合运动形成的 3 集电极收集电子，形成集电极电流IC 集电结反偏 阻碍C区中的多子（自由电子）扩散，同时收集E区扩散过来的电子 有助于少子的漂移运动，有反向饱和电流ICBO 形成集电极电流IC 为了反映扩散到集电区的电流ICE与基区复合电流IBE之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数 为 2907A PNP双极性晶体管 大功率达林顿晶体管 三极管的伏安特性反映了三极管电极之间电压和电流的关系。要正确使用三极管必须了解其伏安特性。 输入特性 输出特性 9.4.3 特性曲线 9.4.3 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 输出 回路 输入 回路 IB = f (UBE ) UC E = 常数 IB = 常数 IC = f (UCE ) 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE =0.5V 二、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 IB = 常数 IC = f (UCE ) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，称为饱和区。 UCE=0 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,UBE 死区电压，称为截止区。发射结反偏 UCE=VCC 小结：三极管的三种工作状态 集电结，发射结均正偏，三极管处于饱和状态 集电结，发射结均反偏，三极管处于截止状态 集电结正偏，发射结反偏，三极管处于放大状态 9.4.4、主要参数 三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? 2. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM 安全工作区 ICM 集电极最大电流 U(BR)CEO 集-射极反向击穿电压 3.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响大。 4. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，三极管的温度特性较差。 场效应管是利用电场效应来控制半导体中的载流子，使流过半导体内的电流大小随电场强弱的改变而变化的电压控制电流的放大器件。其英文名称为：Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor，缩写为MOSFET 场效应管是的外型与晶体管（三极管）相似，但它除了具有三极管的一切优点以外，还具有如下特点： 基本上不需要信号源提供电流 输入阻抗很高（可达109~1015?） 受温度和辐射等外界因素影响小，制造工艺简单、便于集成化等；只有多数载流子参与导电，所以又称其为单极性晶体管 绝缘栅型场效应晶体管 习题 9.4.10 * * * * * 电子技术课程： 模拟电子技术： 数字电子技术： 以放大电路分析为主，重在分析电路的外部特性，例如放大倍数，输入输出阻抗等 以门电路和触发器为基本，重在分析组合逻辑电路和时序逻辑电路的功能 学习方法：抓住电路的宏观特征 第9章 二极管和晶体管 9.2 二极管 9.3 稳压二极管 9.4 晶体管 9.1 半导体的导电特性 半导体具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光作用时，导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变。 §9.1 半导体的导电特性 依照导电性能，可以把材料分为导体、绝缘体和半导体。 导体有良好的导电能力，常见的有铜、铝等金属材料； 　　 绝缘体基本上不能导电，常见的有玻璃、陶瓷等材料； 　　 半导体的导电