半导体物理第一章半导体中电子态.pptVIP

硅和锗的价带顶Ev都位于布里渊区中心， 硅导带底Ec则分别位于100方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处, 锗导带底Ec位于简约布里渊区边界上. 导带底与价带顶的能量对应的波矢不同。这种半导体称为间接禁带半导体。 （22） 规律减小。 硅、锗的禁带宽度是随温度变化的。 在T=0K时，硅、锗的禁带宽度Eg分别趋近于 EgSi=1.170eV， EgGe=0.7437eV 随着温度升高， Eg按 式中Eg(T)和Eg(0) 分别表示温度为T和0K时的禁带宽度。 硅： α= 4.73×10-4eV/K β= 636K 锗： α= 4.774×10-4eV/K β= 235K T=300K时， EgSi=1.12eV， EgGe=0.67eV 温度系数α和β分别为： 所以Eg具有负温度系数。 对半导体来说，导带底和价带顶的能量差，即禁带宽度Eg是十分重要的量. 1.7 Ⅲ-Ⅴ化合物半导体的能带结构 GaAs化合物半导体的能带结构 导带极小值位于k=0处，等能面试球面，导带电子有效质量mn*=0.067m0, 禁带宽度Eg=1.424eV, 价带顶也位于k=0处，分重空穴带、轻空穴带和劈裂带 GaAs半导体的能带结构为直接带隙半导体 半导体中常用的约化能带图： * 边界条件的原因：几率波必须是连续、有限、单值，否则是不存在的 * 原始公式 ＋ 有效质量公式＝ 平均速度、加速度 V的原始公式（定义公式）： （1－25） 加速度原始公式（定义公式）：a＝f/a * 对V变化的举例： * 能带底，或者导带顶 晶体内部势场所致 (真实动量实际上是量子力学上的平均效果) * 本页目的： 价键角度 电子 与 导带、价带 的对应关系。 导带上电子自由运动（共价键中的显示），价带中电子的运动。 * 是否有必要增加 晶向等内容？？？？？ 问题与讨论： 1.为什么有效质量与电子的惯性质量不同？ (本质上体现的是势场的作用，或与晶体内各粒子的相互作用情况（以动量和能量情况举例）) 2.有效质量与什么因素有关？ 3.为什么说hk(=mn*v) 代表的不是电子真实动量，而是准动量？ 4. 什么是单电子近似，它与自由电子有何区别？ §1.4 本征半导体的导电机构——空穴 热力学温度为零时，纯净半导体的价带被电子填满，导带是空的，不导电。 一定温度下，价带顶少部分电子被激发后导带底，增加一个电子的同时，在价带中留下一空位。外电场作用下，电子与空位同时将参与导电。 1、空穴产生及导电原因 共价键上的电子 -- 价带上的电子 挣脱共价键的电子 -- 导带上的电子 共价键上的空位 -- 价带上的空穴 失去一个电子显正电性，空穴带正电荷 挣脱共价键所需的能量 -- 禁带宽度 （a） 激发前 （b） 激发后 硅共价键角度的示意图 能带角度的示意图 空状态A也不断向左移动，产生电流，设电流密度为J J=价带(K状态空出)电子总电流 外电场作用下，电子均受力： f=-qE 电子填到空状态，电子电流为 填入这个电子后，价带又被填满，总电流应为零 3、空穴的有效质量 由空穴定义可知，它的运动速度和同量子态的价电子相同，因此，它们的加速度也必然相同，即 若令 则空穴的加速度可表示为 显然，mp*为正值。 一、k空间等能面（E~K关系图） 能带极值附近E满足： （1） （2） §1.5 回旋共振（有效质量的测量） E(0)分别为导带底能量和价带顶能量。 已知电子和空穴的有效质量，极值附近的能带结构也就掌握了。 价带顶附近 导带底附近 （42） （39） 当E(k)为某一定值，对应许多组不同的(kx,ky,kz),将这些不同的(kx,ky,kz)组连接起来构成一个封闭面,这个面上的能量值均相等，这个面称为等能面。 该等能面是一系列半径为|k|的球面。 对三维情况： 对各向异性的晶体，E(k)与k的关系沿不同的k方向不一定相同。 在不同的k方向，电子的有效质量不一定相同，而且能带极值不一定位于k=0处。 （43） 设导带底位于k0处，能量为E(k0)，晶体中选取适当的坐标轴kx、ky、kz，并令mx*、my*、mz*分别表示沿kx、ky、kz三个方向的导带底电子的有效质量，E(k)用泰勒级数在极值k0附近展开，略