微电子工艺化学气相淀积.pptVIP

7.5.2 氮化硅工艺 可根据需要选择淀积Si3N4工艺条件 选择性氧化的掩膜或电容介质层 中温LPCVD, 700-800oC, P：0.1-1Torr SiH2Cl2(H2或N2 ) +NH3 → Si3N4+ HCl+H2 最终钝化层 低温PECVD， 200-400℃ P：0.1-1Torr SiH4 (H2或N2) + NH3 (或N2 ) → SixNyHZ+H2 LPCVD氮化硅工艺 薄膜密度高（2.9~3.1g/cm3）；介电常数6；化学配比较好；耐HF腐蚀；H含量较PECVD氮化硅低;台阶覆盖性较好;较少的粒子污染 缺点是薄膜应力较大,易破裂 LPCVD以SiH2Cl2或SiCl4为硅源淀积Si3N4 注意 工艺过程中NH3要充足 PECVD氮化硅薄膜 若采用N2和SiH4作为反应剂,注意比例; 淀积速率低,台阶覆盖差,击穿电压低; H含量较少,形成薄膜致密; NH3更易于在PECVD反应室内分解,形成的薄膜性能较好 PECVD SiXNY Standard Cubic Centimeter per Minute,即ml/min或cm3/min 7.6多晶硅(Poly-Si)薄膜 结构特点 多晶硅薄膜是由无数微小单晶粒(约100nm)组成的薄膜，晶粒大小与制备工艺有关，在晶粒与晶粒之间是晶粒间界(称晶界，0.5-1nm宽)，晶界原子排列无序，多晶硅薄膜呈各向同性。 晶界含大量悬挂键及高密度缺陷----晶粒间界不完整性及晶粒表面原子周期性排列受到破坏所引起。 造成多晶硅的两个重要特性： （1）扩散系数----晶界处明显大于晶粒内部 （2）杂质分凝----高温时位于晶粒内部的杂质在低温时运动到晶界处，而高温时又返回晶粒内 7.6.1 结构与特性 多晶硅电学特性 多晶硅内每个单晶晶粒内的电学行为和单晶硅的电学行为相似 在一般掺杂浓度下，同样掺杂情况，比单晶电阻率高； 高掺杂时，电阻率与单晶接近。 原因：1、热处理过程中掺杂原子运动到晶界处，不能有效供给自由载流子；2、晶界处的悬挂键可俘获自由载流子；3、晶界内缺陷使载流子迁移率下降 Poly-Si电阻变化与掺杂浓度、晶粒尺寸之间关系： 1、在同样掺杂浓度下晶粒尺寸大的薄膜有较低的电阻率 2、晶粒尺寸的大小和掺杂浓度相互作用，决定着每一个晶粒的耗尽的程度 7.6.2 多晶硅薄膜用途 MOS器件的栅电极； 超大规模集成电路中电极的多层布线； 在双极以及BiCMOS技术中，高掺杂的多晶硅薄膜也用来制作发射极； MEMS器件，如压力传感器的应变电阻。 良好的高温工艺兼容性；与热生长的二氧化硅有更好的接触性能；在陡峭的台阶上淀积多晶硅有良好的保形性 7.6.3 Poly-Si薄膜制备工艺 LPCVD，580-650℃，热分解硅烷实现淀积； T 580℃时淀积薄膜基本为非晶Si 硅烷热分解 SiH4（吸附）? SiH2（吸附）+H2(g) ? Si（s）+H2(g) ↑ 注意：（1）防止SiH4气相分解----应用稀释气体H2 （2）气缺现象----从反应室的入口到出口的30℃温度梯度；分布式入口LPCVD反应室 在淀积Poly-Si的同时可原位掺杂，或在淀积之后采用扩散或离子注入掺杂。 Poly-Si淀积速率的影响因素 温度； 气体压力； 反应器形状 Poly-Si掺杂 扩散掺杂----温度900~1000℃ N型掺杂剂：POCl5, PH3等含磷气体 优势：1.在多晶硅膜中掺入杂质浓度很高，可以超过固溶度----可得较低电阻率；2.一步完成掺杂和退火两个工艺； 缺点：工艺温度高，薄膜表面粗糙度增加 离子注入----优点：杂质数量精确可控，也可适用低掺杂薄膜制备。 电阻率为扩散掺杂法制备薄膜10倍 合适的注入能量可使杂质浓度峰值处于薄膜中间；用快速热退火(RTP) 在1150℃下不到30秒完成杂质再分布和激活。 原位掺杂----一步完成薄膜淀积和掺杂工艺；方法简单，未广泛应用 实际CVD 氮化硅 二氧化硅 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜 难溶金属W, Mo, Ta, Ti在IC中被用作互连系统，一般用CVD方法淀积。 W的主要用途 1.作填充----W插塞plug 2.作局部互联材料----W的电导率低，只用作短程互连线 W的优势 体电阻率较小7-12μ?.cm；较高的热稳定性；较低的应力；良好的抗电迁移能力和抗腐蚀性 CVD W 工艺 源----WF6； WCl6； W(CO)6 WF6与硅，H2，硅烷还原反应生成W---