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* IC插座 IC插座的使用是为了使IC的撤换不用撤焊和重新焊接，直接换下即可。 IC插座是有极性的，其极性标志是IC插座一端上的挟槽，插入时必须对着板上的极性标志插座 集成電路 集成電路 74LS00逻辑符号及引角排列 与非门 集成電路 555定时器 555定时器内部框图及引脚排列 集成電路 555 构成多谐振荡器 多谐振荡器及其波形 Tw1 Tw2 T 1/3vcc 2/3vcc 0 v0 t t vc 0 集成電路 555 多谐振荡器應用 集成電路 音頻 放大器 比較器 根據兩個輸入端的電位關係，輸出端工作在開關狀態 串联型线性稳压原理 当输出电压发生变化时，通过电阻R1和R2分壓負反饋到运放反相输入端，與同相输入端的基准电压比較后，其变化量经过运放放大后，使输出电压向相反的方向变化達到穩壓目的。由于运放的电压放大倍数很大，电路处于极度的电压深负反馈状态，由电压负反馈电路的特性得到，该电路的输出电阻约为0，可以认为是理想的內阻為零的电压源。因此，在一定的范围之内，不管输入电压u1还是负载电阻RL发生了什么变化，输出电压都很稳定。 比較器的應用 电源电路 三端集成稳压电路。 三端稳压集成电路主要有 78系列、79系列、 31系列 78系列输出正电压 79系列输出负电压 31输出可调正电压 二、三端集成稳压电路。 3.三端集成稳压集成电路应用 A.三端输出正电压。三端输出负电压。见图示 如7805、7809、7812、7815、7818 分别输出正5-9-12-15-18/1A 如7905、7909、7912、7915、7918 分别输出负5-9-12-15-18/1A 电源电路 电源电路 (4)集成可调三端稳压电路LM317 下集再見！！ * RB +UCC RC C1 C2 ui iB iC uCE uo 共射極單管放大器各点波形 輸出uo比輸入ui幅度放大且相位相反 三极管 基極偏置不當 導致的失真 基極偏置可調 射極電阻對三極管溫漂的穩定作用 直接耦合两级放大电路 阻容耦合两级放大电路 变压器耦合收音機中頻放大电路 光敏控制電路 繼電器 一、场效应管基础知识 场效应晶体管（FET）简称场效应管。场效应管是电压控制器件。与三极管相比，场效应管有输入阻抗高、制造工艺简单、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等特点。在高频、低频、直流、开关及阻搞变化等电路中都有广泛的应用。 场效应管 １、场效应管的封装形式 场效应管 一、场效应管基础知识 ２、场效应管的分类 1）按G與DS結構分为： 彼此絕緣為绝缘栅型 彼此由兩個PN結為结型 2）按照載流子分 空穴為P沟道 電子為N沟道 3)按照導電方式分 |UGS|0 ,GS才導通為增强型 有參數開啟電壓 UGS=0 ,GS即有導通為耗尽型 有夾斷電壓 在絕緣柵型中用到最多的是MOS管（金屬氧化膜半導體場效應管） 场效应管 场效应管 场效应管 VGS0时，在SiO2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。 VGS 0→G吸引电子→反型层→形成导电沟道VGS↑→反型层变厚→ VDS ↑→ID↑ 二、场效应管的三极（G、S、D）判别 场效应管 场效应管 三、场效应管的参数 场效应管 绝缘栅型双极晶体管，其英文表示为iusulated Gate Bipolar Transistor IGBT管俗称门控管 它既有场效应管驱动电流小的优点，又有双极型晶体管饱和压降小、电流密度大的优点，因此可以简单地把IGBT管理解为一只场效应管与双极型晶体管的复合器件。 将场效应管作为推动管，大功率管作为输出管。这样一个组合集两者优点于一身，既具有双极型晶体管能通过大电流密度的优点，同时又具备了场效应管用较小电压即可进行控制的特点。具有电压控制以及大功率输出的优点。输出功率可达1000W以上。常用于电磁炉 實際型號以N型為多 场效应管的损坏主要是三极间相互短数或者开路。 四、场效应管的检测 场效应管的检测 對於結型管G極反偏阻值很大，絕緣柵型G極阻抗近乎開路。否則為擊穿 對絕緣柵型场效应管，G极有無電壓，DS之間阻值差別很大 對於DS之間並接了二極管的情況要更為複雜 场效应管 　场效应管损坏后，最好用同类型、同特性、同外型的场效应管代换。如果没有，则可采用同参数的其它场效应管代换。 　一般小功率场效应管代换时，应考虑其 输入阻抗、 低频跨导、 开启与夹断电压、 击穿电压 耗散功率等参数。 大功率场效应管代换时，应考虑击穿电压、耗散功率、漏极电流等参数。 　另外