耐高温陶瓷先驱体专题.pptVIP

* Si-B-C-N陶瓷先驱体 Si-B-C-N陶瓷的影响因素之一 1) B 的含量对于SiBCN 复合陶瓷高温析晶和分解有着重要的作用, B 元素的加入可以有效抑制Si3N4 的析晶和分解. 当B的质量百分数分别为 3 和 16～18 时,对复合陶瓷的热分解的作用不大. 与主链中的Si相连的为H时, B 的原子分数应大于5.7% ,而当相连的为CH3 时, B 的原子分数要达到9%. 原因：Si - H同Si - CH3 相比,聚合体中的Si: C比例 不同,以及Si - CH3 在热作用下容易断裂造成的. * Si-B-C-N陶瓷先驱体 Si-B-C-N陶瓷的影响因素之二 2) N含量的影响: N 含量高，复合陶瓷的分解温度较低 .原因：N 含量高, N 可以和Si形成Si3N4 ,而 Si3N4 在高温下可以和C发生反应(方程式( 1) , 1 484 ℃, N2 1个大气压；方程式(2) , 1 841 ℃, N2 压力为1个大气压) . Si3N4 + 3C → 3SiC + 2N2 ↑, (1) Si3N4 → 3Si + 2N2 ↑. (2) 　 在SiBCN 复合陶瓷中, Si3N4 的含量取决于Si - B - N的比例。 举例：在硼调整的聚硅氮烷中Si - B - N的比例为3 ∶1 ∶3时, 先驱体裂解所得的陶瓷材料分解温度可以达到2 000 ℃； 而在Si∶N 比为1.5 的聚硅氮烷中, Si - B - N 比例为3∶1∶4.5, 先驱体裂解得到的陶瓷材料分解温度降到了1 500 ℃. * Journal of the European Ceramic Society 20 (2000) 2655－2659 * Si-B-C-N陶瓷先驱体 单体路径：先合成含Si, B, N, C 的单体, 然后以适当的方式使单源先驱体聚合即可得到SiBCN陶瓷先驱体。 聚合物路径：指以含硼化合物对聚硅氮烷等含Si—N键的聚合物通过脱氢耦合或硼氢化反应进行改性而得到侧基为含硼基团的SiBCN 陶瓷先驱体. * 单体路径 表1 单体路径中利用硼氢加成反应制备SiBCN先驱体和陶瓷 * Nature，1996，382：797 * Chem. Mater. 2000, 12, 623-632 XRD 分析表明，随着温度上升， SiC 和Si3N4 结晶开始温度在 1550-1750 °C, 与材料的组成有关. TGA测试表明该陶瓷材料在空气中1700 °C 的高温下具有良好的抗氧化性能。 * Chem. Mater. 2004, 16, 418-423 SiBN1+xC2 陶瓷的组成取决于先驱体2或者4。分别以P3和4为先驱体，可以制备非常致密的陶瓷材料。先驱体4的陶瓷产率高达94% . * Journal of Organometallic Chemistry 2004，689 ： 2311–2318 * Journal of Organometallic Chemistry 2003，688 ： 27－35 2,4,6-三甲基-2,4,6-三乙烯基环三硅氮烷和环硼氮烷 的硼氢加成制备SiBCN先驱体。 * J. Mater. Chem., 2008, 18：1810–1818 通过DMTA 的胺解制备 分子式组成为SiBN2.4C2.5H8.8的聚硼硅氮烷, 通过高温热解制备无定型的 SiBN2.3C1.7陶瓷，陶瓷产率 56% ， 氩气氛下 1700 度才开始结晶. * 聚合物路径 * Adv. Mater. 1995, 7, No. 3 热解分三步进行. 主要的失重发生在 300－600 °C，监测到高于400°C 以上的主要热解气体为氨气和甲胺。 400 °C－800 °C 的主要热解气体为甲烷、乙烯、氨气. 1250°C以上无明显失重。 * Chem. Mater. 2004, 16, 83-92 向Si-C-N 陶瓷中添加10 at. % 的硼显著影响陶瓷的高温行为：无定型相的晶粒长大、 Si3N4的结晶和分解均收到抑制。C3的陶瓷产率大于C2。 * Journal of the European Ceramic Society 2000，20：2655－2659 通过聚（甲基）（乙烯基）硅氮烷和BH3的硼氢加成制备了系列相同的Si/C/N 比例，不同硼含量的SiBCN先驱体。 高温热失重分析和XRD显示硼能够抑制SiC和 Si3N4 的结晶，还能稳定Si3N4 的结晶。 * Journal of the European Ceramic Society 2001，21： 2171－2177 通过聚（氢）（乙烯基）硅氮烷和BH3的硼氢加成制备了系列相同的Si/C/N 比例，不同硼含量