《聚合物刷》-公开课件.pptVIP

在热退火和功能化的底面下形成长程有序的嵌段聚合物柱 一.方法与原理 二.结果与讨论 1.通过溶剂蒸发在ps-plla表面上形成定向的plla柱 2.功能化的sio2 3.功能化的sio2表面分析 4.功能化的表面取向的诱导 5.热退火对取向的影响 6.长程垂直柱取向的诱导 7.lateral packing的提高 三.总结 一.方法与原理 近几年嵌段聚合物因其可以自组装成sphere, cylinders ,gyroids和lamellae等微观结构而被广泛研究 本文主要介绍用化学中性表面的方法来控制微相分离，对表面的A和B两种嵌段，当rA=rB时（r为表面张力）嵌段和表面的相互作用达到平衡，此时表面为中性表面。 功能化的表面可通过两步来实现：在退火100℃下把ps-oh移植到sio2的表面上，之后在180℃ 退火下把plla-oh移植到含有ps-oh的sio2表面上，此时形成了中性表面。而诱导方向的有效厚度是受中性底面限制的，在高温的热退火下，可以产生中性空气表面。当退火温度达到220℃ 时。可以形成横向有序的六角柱。 Nealey et al 尝试用随机的ps-pla，但无法获得类似的结果。 二.结果和讨论 1.通过溶剂蒸发在ps-plla表面上形成定向的plla柱 为了去测定垂直plla柱的有限厚度，我们在si和sio2的表面上准备了50-200nm厚度的ps-plla薄膜，在50℃ 下使用不同浓度的ps-plla去旋涂（spin-coating）,实验结果表明在50-150nm中垂直的有向plla微区可以形成，但若从bottom看100nm，150nm, 200nm的厚度无序逐渐增加，无法形成微相分离，那么要想形成垂直的有向plla柱，薄膜的旋涂厚度是有限的，为了创建含有plla柱微区的ps-plla薄膜，sio2表面必须要用ps和plla功能化去取消厚度的限制 初始阶段使ps和plla形成微相分离，此时垂直的plla柱已经在ps-plla薄膜上形成，而中性底面可以避免单体和表面的优先作用。 2.功能化的sio2 为了避免在对底面直接功能化过程中由ps-oh和plla-oh不相容性，而使移植过程中出现异种移植（heterogenenos）,所以选择两步移植，首先在140℃真空下通过热退火把ps-oh移植到sio2表面上， 140℃Tg(glass transition temperature)有利于使ps-oh扩散并和sio2相互作用，可以通过热退火来控制接枝密度，为了减慢反应获得更大的接枝率，把140℃降低为100℃，之后把plla-oh接枝到含ps-oh的sio2表面上，为了防止plla-oh的结晶化，退火温度控制在180℃ 3.功能化的sio2表面分析 X-ray photoelectron spectroscopy观测发现ps-oh和plla-oh已经成功接枝在sio2的表面上，在接枝ps-oh时，退火时间由30min增加到180min时，plla由35.5 ％ 减到4.7％，当ps的成分Fps=0.75时，聚合物和功能化的sio2的相互作用达到平衡，此时形成中性底面 4.功能化的表面取向的诱导 在功能化的sio2表面上，柱的方向 可以得到有效地控制，但是柱的厚度是有限的 5.热退火对取向的影响 当退火温度低于140℃时，形态没有很大的变化，当温度增加到180℃时，聚合物薄膜的形态发生显著变化，由热退火驱动所形成的垂直柱很明显的观测到，垂直柱的方向对嵌段聚合物和功能化的底面之间的薄膜形态无影响？？？？ 6.长程垂直柱取向的诱导 尝试在比较后的薄膜上形成垂直的plla柱，研究发现当薄膜的厚度为100nm 和 200nm时可以形成，为了去检测垂直柱诱导取向的限制，让垂直柱旋涂（span）整个薄膜的厚度即400nm，推测出垂直柱的形成依赖于空气层并切垂直柱贯穿整个中性底面，薄膜附近的形态依赖于功能化的表面，并受溶剂蒸发的影响，薄膜的厚度不能超过500nm 7.lateral packing的提高 在退火温度为180℃，垂直的plla柱厚度为400nm时，测序度很低（the degree of the lateral order）,较低的测序度使链移动不能达到最低的Gibbs自由能，为了提高lateral packing ，逐渐增加退火的温