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内容提要 1 引 言……………………………3 2 实 验……………………………3 3 结果与讨论……………………5 4 结 论……………………………9 1 引言 石英光导纤维材料 宽带隙半导体材料 III-V族半导体材料 信息时代 (GaN, SiC, ZnO) GaAs基激光器的发明 成为人们研究热点 直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV； ZnO 激子结合能高达60meV，可实现室温短波长发光； 熔点高，较高的热稳定性和化学稳定性。 1 引言 1 引言 图1 实验示意图 3 结果与讨论 3 结果与讨论 3 结果与讨论 3 结果与讨论 4 结论 感谢各位评委老师给予批评指正！ 2013-04-24 * * 矿化剂对稀土Eu掺杂ZnO发光性能的影响 答 辩 人：彭久新 指导教师：郎集会 讲师 吉林师范大学物理学院 2013年4月 研究意义 1997年 ZnO光电 信息功能材料兴起 2001年 特殊形态ZnO报导 ZnO P型掺杂 第Ⅰ族, 第Ⅴ族, Cd , In , S , Ga , Sc 掺杂改性——稀土掺杂ZnO 研究意义 本论文的研究内容