模拟电子技术3第1-10章复习.ppt

模拟电子技术复习 主讲教师:赵旭才 第一章 基本要求 1.掌握基本概念和定义和原理。如：自由电子和空穴，扩散和漂移，复合，空间电荷区、PN结、耗尽层，导电沟道，二极管的单向导电性，稳压二极管的稳压作用，晶体管和场效应管的放大作用和三个工作区等。 2.掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管的外特性和主要参数的物理意义。 3.了解选用器件的原则。 二、晶体管放大的条件和本质 1、晶体管能够放大的内部条件是： 发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大。 2、晶体管能够放大的外部条件是： 发射结正偏，集电结反偏 3、晶体管放大的本质：用较小的基极电流控制较大的集电极电流。 三、场效应管 1、场效应管放大的本质：用栅源电压控制漏极电流。是一种电压控制器件。 2、最大的优点是输入电阻高，噪声小。 3、三个工作区：夹断区、恒流区、可变电阻区。分别与晶体管的截止区、放大区、饱和区对应。 4、参数：夹断电压：UGS（off），开启电压：漏极饱和电流： 低频跨导： 第二章基本要求 1、正确理解放大的基本概念，放大电路的主要指标，掌握放大电路的组成特点。 2、在放大电路的图解法，主要用来确定静态工作点，分析动态过程和波形失真。 3、熟练掌握放大电路的等效电路法，会计算静态工作点，能用H参数微变等效电路计算放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻。