电晕和辉光放电等离子体技术应用和应用.pptVIP

8 电晕和辉光放电等离子体技术与应用 8.1 电晕和辉光放电等离子体机理分析 8.1.1 电晕放电 电晕放电常采用非对称电极（如针-板电极、针-针电极等），在电极曲率半径小的地方电场强度特别高，容易形成电子发射和气体电离，可在常压条件下形成电晕。 针电极 平板电极 进气口 出气口 等离子体区 催化剂 10-10 10-8 10-6 10-4 10-2 1 100 1000 电流I/A VB A 辉光放电 暗放电 弧光放电 汤森区 B D F F′ G H J C E I K 本底电离 饱和区 电晕 击穿电压 正常 辉光 异常 辉光 Themal 辉光到弧光 的跃变 V1/I 电压 /Ｖ 　气体放电伏安特性曲线 直流电晕 交流电晕 高频电晕 根据放电产生电晕的 电源来源和频率可分为 正电晕 负电晕 电晕放电类型 爆发式脉冲电晕 流注电晕 辉光电晕 特里切尔电晕 正负电晕的形成机理 负电晕的形成机理——场生雪崩放电理论： 针状阴极电晕发光区内存在较强烈的电离与激发，电流密度大，在负电晕的外围只存在单一的带负电的粒子。 正电晕的形成机理——流光理论： 一旦产生正电晕放电，电晕层内强电场中激发粒子的光辐射产生电子即光致电离，所形成的电子在电晕层中引起雪崩放电，产生大量激发和电离，最后电子被阳极收集，正离子经过电晕层，进入电晕外围向阴极迁移。 根据能量提供方式，金属中电子发射可分为以下几种情况： 高温导致的热电子发射； 强电场导致的场致发射； 光照导致的光致发射； 电子撞击产生的次级电子发射； 金属表面力学作用（摩擦、形变等）或化学反应导致的自由电子发射 10-10 10-8 10-6 10-4 10-2 1 100 1000 电流I/A VB A 辉光放电 暗放电 弧光放电 汤森区 B D F F′ G H J C E I K 本底电离 饱和区 电晕 击穿电压 正常 辉光 异常 辉光 Themal 辉光到弧光的跃变 V1/I 电压 /Ｖ 　气体放电伏安特性曲线 8.1.2 辉光放电 阳极 阴极 放电管 双探针 螺母，旋开后可调节极距 DH2005型直流辉光放电等离子体装置： 等离子体辉光放电的唯相结构 阳极辉区 正柱区 法拉第 暗区 阴极 辉区 阿斯顿 暗区 阳极暗区和负极辉光区在实验中并没有观测到; 电压增大，正柱区长度减小 正柱区一端是半球体，可能是未电离的氩气流动对辉光放电的影响 d= 155mm,P=40Pa实验中观察到的各区分布图 一些情况下的辉光图片 对于外加磁场等离子体辉光现象的描述 正柱区有周期性明暗变化 不加磁场前 8.2 等离子体鞘层效应 8.2.1 等离子体鞘层效应 （1）鞘层模型 当等离子体空间遇到固体（电极、反应器壁、催化剂等）时，会在固体表面产生电荷积累，形成等离子体鞘层。 当等离子体电位高于固体电位时，在固体电位附近吸引正离子形成了离子包围的电荷层，称为离子鞘；反之，等离子体电位低于固体电位时，在固体电位附近吸引电子排斥离子，形成电子包围的电荷层，称为电子鞘。 通常，等离子体鞘层与等离子体之间有一段准中性等离子体过渡区。 表征固体表面等离子体鞘层特征的重要参数包括： 鞘层的厚度XS、 固体表面电位V0、 鞘层电子密度ne、 离子密度ni、 电位梯度V(x)等 - - - - - - 等离子体鞘层 XS V0 V0 等离子体 ni≈ne V(x)≈0 Ni(X)ne(X) V(x)0 固 体 （2）鞘层厚度 在冷等离子体中，Te》Ti，因此鞘层的有效厚度为 表明固体鞘层厚度随离子温度上升而增加，随等离子体内 离子密度增加而减小。 （3）固体表面电位 上式表明，固体表面为负电位，电位绝对值随电子温度增加而上升，随离子温度增加而下降。在冷等离子体中，电子温度与离子温度的非平衡性，使得固体表面具有较大的负电位。 （4）鞘层效应对催化剂功能的影响 电晕等离子体中的催化剂表面将形成鞘层，具有负电位，假如在甲烷冷等离子体中，平均电子温度为6.0eV，平均离子温度为1/30eV时，催化剂表面的电位约为33eV。该电位会影响催化剂表面的特征（如金属催化剂表面电子功函数），导致催化性能改变。 8.3 电晕和辉光放电等离子体技术在化工中的应用——甲烷和二氧化碳制合成气、甲烷偶联制碳二烃 8.3.1 利用电晕放电冷等离子体技术，甲烷和二氧化碳制合成气 （1）CH4-CO2反应体系的热力学分析 CH4+CO2——2CO+2H2 CO2+H2——CO+H2O 2CH4——C2H2+3H2 C2H2——2C+H2 CH4+4H2——CH4+2H