硅片加工硅片清洗.ppt

3）抛光片清洗 抛光片：经过CMP抛光的硅片，表面平整度非常好。 杂质：CPM研磨浆，少量粉尘，金属颗粒，有机蜡（若是有蜡抛光）。 洁净度：表面比较干净，杂质量比较少。 清洗要求：去除杂质，尽量保持原平整度，不要额外增加粗糙度。 清洗工艺：RCA清洗 抛光片清洗流程 准备工作 去蜡 送检 清洗 结束 送检 1. 准备工作 2. 去蜡 大量的蜡采用专用清洗液，少量的蜡污染，在RCA清洗中去除。 3. 清洗 4. 结束 蜡垢组成：石蜡，脂肪酸，松香皂等，以及抛光时的污染如SiC颗粒，金属屑等。 厚度：～1um。 特点：常温下固体，不溶于水。 吸附方式：物理吸附，分子间力吸附。 粘附能力：大尺寸颗粒容易去除，颗粒小于0.1um以后，比较难去除。 硅片的去蜡 清洗原理： 大量蜡：专业清洗液，主体一般采用表面活性剂，通过降低表面张力，通过乳化、溶解作用，增加蜡在水中的分散性。 少量蜡：作为有机污染，RCA清洗去除。 本章作业 硅片表面吸附种类有哪两种，各自吸附特点是什么，哪种吸附的强度大。 常用清洗方法有哪些。 硅片表面沾污种类有哪些。 硅片的主流清洗工艺是什么工艺。 RCA清洗液主要有哪几种，各种成分是什么 RCA清洗液的作用分别是什么。 清洗过程会不会增加硅片的粗糙度，哪些清洗环节增加的。 上面介绍是基本原理，但是事实上，为降低金属杂质浓度，必须研究金属离子在溶液中行为。而金属离