分子束外延技术(MBE)的原理及其制备先进材料的研究进展.pptVIP

分子束外延技术（MBE）的原理及其制备先进材料的研究进展 学号：XXXXXXXXXX 姓名：XX 主要内容 MBE原理 MBE前沿介绍 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，简称MBE)：它是在超高真空的条件下，把一定比例的构成晶体的各个组分和掺杂原子(分子)以一定的热运动速度喷射到热的衬底表面来进行晶体外延生长的技术。 注：超高真空(Ultrahigh Vacuum)指的是真空压力至少低于1.33x10-8Pa。 外延生长：在一个晶体表面上生长晶体薄膜，并且得到的薄膜和衬底具有相同的晶体结构和取向。 MBE原理—定义 1968年，美国Bell实验室的Arthur首先进行了Ga和As在GaAs表面的反应动力学研究，奠定了MBE的理论基础。 1969-1972年间，Bell实验室的A. Y. Cho进行了MBE的开创性研究，用MBE生长出了高质量的GaAs薄膜单晶及n型、p型掺杂，制备出了多种半导体器件，而且生长出第一个GaAs／AIGaAs超晶格材料，从而引起了人们的关注。 1979年T. W. Tsang将MBE法制备的GaAs／AlGaAs DH激光器的阈值电流密度降到1KA／cm2以下，使其能在室温下工作，达到了LPE水平。 MBE原理—历史 目前最典型的MBE设备是由进样室、预处理和表面分析室、外延生长室三个部分串连构成。 M600