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第 10 章實體記憶體和定址 記憶體特性 工程師使用RAM，當作電腦的主記憶體。 RAM可以隨機存取，具有： 讀寫能力 更新能力 RAM屬於揮發性記憶體，電腦關機後，資料跟著消失。 RAM的實現技術 靜態RAM （Static RAM，簡稱為SRAM） 動態RAM （Dynamic RAM，簡稱為DRAM） SRAM技術（類似正反器） 當「寫入致能」為on時，電路會設定輸出數值等於輸入狀態。 當「寫入致能」為off時，電路不理會目前的輸入訊號。 SRAM優缺點 優點：高速運作 缺點：電力消耗和熱問題 DRAM技術 DRAM只消耗少許的電力，比較不會有晶片發熱的問題。 DRAM內部使用電容器原理，來儲存資訊。 遺失電荷問題 任何電容器都會發生漏電的情況。 DRAM會在非常短的時間內（1秒），快速地遺失電荷。 電荷逐漸散逸，最後位元會變為0。 更新電路 既然數值會迅速地變成0，那麼DRAM如何用來當作記憶體呢？ 總是在電荷跑光之前，先讀出該位元，再寫回相同的數值，讓電容再一次充滿電荷，這種過程稱為更新。 這種” 讀出再寫回位元” 的硬體電路，就是所謂的更新電路。 更新電路圖 真正的更新電路 真正的更新電路會更複雜。 結構師使用小型更新機制，來掃瞄整個記憶體。 在更新期間，更新電路必須保證位元數值不能進行讀寫動作，否則將影響資料的正確性，但是這種保證卻造成延遲問題。 DRAM結構具有低成本和低電力消耗的優點，因此大部分的電腦主記憶體是由DRAM所組成，而非SRAM。 記憶體技術之測量 密度 延遲和週期時間 密度 嚴格來說，密度意指：矽平方面積的記憶單元數量。 實際上，密度意指：標準晶片可以容納的位元數量。 比如：1Mb晶片表示容納1百萬位元的標準晶片。 密度愈高記憶體數量愈多，電力需求跟著增加，因而帶來晶片散熱的問題。 摩爾定律 最常用來預估未來晶片密度的定律，正是最知名的摩爾定律。 摩爾定律從1970年代開始，準確預估晶片內部電晶體密度的成長趨勢：每18個月二倍成長（即三年四倍），這表示電晶體尺寸不斷地微縮。 讀寫分離 擷取某些記憶體資訊所需要的時間，可能會不同於儲存資訊所需要的時間，這種差別導致量化記憶體技術時，必須分開地使用兩種數據：讀取（read）動作的效能、和寫入（write）動作的效能 延遲 記憶體從開始到完成所耗費的時間。 並非固定的常數。 記憶體控制器 在實體記憶體和處理器之間，還有一個稱為記憶體控制器的硬體介面。 記憶體控制器圖 記憶體動作方式 處理器 先提出讀取請求或寫入請求給控制器 等待控制器回應 控制器 翻譯記憶體位址和請求，傳到底層記憶晶片。 記憶晶片會儘速反應，讓控制器傳回答案。 然後，控制器重置硬體電路，準備下一個動作。 第二個記憶體效能因素 因為記憶體系統在存取動作之間，需要一些額外的時間，來準備下一個存取動作，這表示只有延遲將不足以量測記憶體效能，整個記憶體效能最好還能夠量測出連續動作所需要的時間。 記憶體週期時間 工程師會以記憶體週期時間來表示：記憶體系統執行多個運算的速度有多快！ 比如： 讀取週期時間（read cycle time，簡寫成tRC） 寫入週期時間（write cycle time，簡寫成tWC）。 記憶體週期時間的重點 讀取週期時間和寫入週期時間被用來測量記憶體系統的效能表現，因為這兩者數據可以瞭解：記憶體在處理連續請求動作的反應有多快！ 同步記憶體技術 記憶體和處理器時脈不同，會影響效能表現。 採用同步時脈系統，可以消除時脈不同步所造成的延遲，讓記憶體時脈剛好對齊處理器時脈。 比如： SDRAM 同步型動態RAM SSRAM 同步型靜態RAM 現代電腦大部分使用SDRAM當作主記憶體。 多倍速記憶體技術 工程師會設法降低記憶體週期時間。 最直接的方式就是採用多組時脈，讓記憶體在這些時脈的觸發下，能夠傳遞更快的資料，典型的範例就是所謂的 雙倍速率（DDR）記憶體 四倍速率（QDR）記憶體。 市售記憶體產品 記憶體組織 用於處理器和記憶體之間的平行介面 稱為匯流排 記憶體傳輸大小 從結構觀點來看，平行連線改善傳輸的效能。 從程式觀點來看，平行連線定義記憶體傳輸大小。 記憶體傳輸大小就是：單一讀寫動作最多一次能夠傳輸的資料量。 實體位址 實體記憶體被分割成多個N位元區塊 N就是記憶體傳輸大小 N位元就是該電腦的字組 字組定址 每個字組都被賦予唯一的編號，來當作實體記憶體位址，稱為字組定址。 實體記憶體就像是：從位址0開始排列的字組陣列。 實體位址圖 實體記憶體動作 實體記憶體具備讀取和寫入功能： 在讀取動作，處理器會指定一個位址。 在寫入動作，處理器會指定一個位址和一筆資料。 重點在於： 實體記憶體是由多個字組構成，而字組就是記