压电铁电物理-振动模式1教案资料.ppt

wangcl@sdu.edu.cn 若外加电场为E3=E0ej?t，在此电场作用下，薄圆环产生受迫振动，这时（5-64）式的解为： （5-65） 其中: 将（5-65）式代入（5-61）式得电位移为： （5-66） 其中: 自由介电常数与夹持住介电常数之间的关系为： 通过电极面的电流为： 因为电压V=E3lt，故得薄圆环压电振子的导纳为: （5-67） 当G=?时，薄圆环产生谐振，谐振频率fr为； （5-68） 或 当G=0时，薄圆环产生反谐振，反谐振频率为: （5-69） 或 由此得到机电耦合系数k31与fr、fa的关系为: （5-70） 薄球壳的球径向振动 薄球壳的极化方向与径向平行，球壳内外表面为电极面，球壳厚度为lt，平均半径为r，并有r lt，选球的径向为3方向，?、?的增加方向为1、2方向，其边界条件为: E1=E2=0,E3?0； X3= X4= X5= X6=0，X1?0, X2?0。 图 5-10 薄球壳的径向振动 选应力和电场（X、E）为独立变量，即得薄球壳的径向振动的压电方程组为: （5-71） 对于压电陶瓷的弹性性质和压电性质在与极化垂直的面上是各向异性的，故有X1=X2、sE11=sE22、d31=d32。令 代入到（5-71）式即得: （5-72） 球壳中的情况与圆环相似，xc与径向位移ur之间的关系为： 波动方程式为: （5-73） 若外加电场为E3=E0ej?t，在此电场作用下，上式的解为： （5-74） 其中: （5-75） 球壳的导纳为: （5-76） 其中平面机电耦合系数 kp为 当G=?和G=0时可得,谐振频率： 反谐振频率为： 由此得到平面机电耦合系数为： 因为薄圆片压电振子的机电耦合系数kp为 以及 将这些关系代入上式得 (5-49) 薄圆片压电振子的等效阻抗 k=?/c 谐振频率和机电耦合系数 谐振时压电振子的等效阻抗Z=0，即: G=1/Z=?，这就要求 即： 或 其中：?r=2?fr，fr=谐振频率。 （5-50） 钛酸钡的泊松比约为?=0.30，代入上式： 查贝塞尔函数的数值表，可得上式最小的根为: （5-51） 由此得到薄圆片压电振子的谐振频率为 （5-52） 同理可得： 当 时， 当 时， 反谐振时，压电振子的等效阻抗Z=?，即G=1/Z=0，这就要求 （5-53） 因为反谐振频率fa稍大于谐振频率fr，故可假设 或者 即： 或者 将J0和J1在谐振频率处用泰勒级数展开得： （5-54） 将（5-54）式代入（5-53）式后，(5-53）式分子为: （5-55） (5-53）式分母为 由（5-50）式知 或者 将这些关系代入到（5-55）式得 最后得到 即： （5-56） 由上式可解出薄圆片压电振子的机电耦合系数kp为 或者 （5-57） （5-58） 谐振频率关系式（5-52）式以及机电耦合系数关系式（5-57）式对压电陶瓷也成立。实验上常用（5-52）式确定材料的杨氏模量Y，（5-57）式确定材料的机电耦合系数kp，通过低频电容Clow的测量，确定介电常数: 以及压电常数: 至于泊松比?，则可通过下式确定： （5-59） 其中：fr0=薄圆片压电振子的基频，fr1=薄圆片压电振子的一次谐波频率。（确切的说法是fr0为薄圆片的基音频率，fr1为薄圆片的一次泛音频率，对于压电陶瓷fr0?2.61 fr1左右）。（5-59）式的适用范围是： （5-60） 薄圆片压电振子的径向伸缩振动（小结） 介电常数 半径a；厚度lt；低频电容Clow fr0:薄圆片压电振子的基频，fr1:薄圆片压电振子的一次谐波频率。 杨氏模量的确定 压电常数 平面机电耦合系数 其它压电振子 薄圆环压电振子的径向振动 薄球壳的球径向振动 薄片的厚度伸缩振动 薄圆环压电振子的径向振动 如图5-9所示，薄圆环的极化方向与z轴平行（即轴向极化），平均半径为r ，厚度为lt，宽度为lw，并有rlt以及rlw.设圆环的方向为2方向，极化方向为3方向，?增加的方向为1方向。因为圆环的半径远大于圆环的宽度和厚度,所以圆环在外加电场的作用下，可以认为只产生轴对称的径向振动.除了沿圆周（即切向）的应力X1（即x? ）外,其余的应力、切应力皆等于零。 图 5-9 薄圆环的径向振动 又与3方向垂直的电极面是等位面，所以可以认为E1=E2=0。选应力和电场（X、E）为独立变量，即得薄圆环的压电方程组为 （5-61） 考虑薄圆环上的一小块（如图5-9所示），作用在小块上的径向力分量为： （5-62） 由牛顿第二定律可得径向运动的微分方程式为： （5-63） 其中?为薄圆片的密度，ur为环的径向位移。 将