材料科学基础@七 回复与再结晶.pptVIP

* 阻碍位错和晶界的运动，不利于再结晶。 微量溶质元素。 * 间距和直径都较大时,提高畸变能，并可作为形核核心，促进再结晶； 直径和间距很小时，提高畸变能，但阻碍晶界迁移，阻碍再结晶。 第二相 * 五 再结晶晶粒大小的控制 再结晶晶粒的平均直径 d=k[G/N]1/4 存在临界变形量，生产中应避免临界变形量。 变形度为2%~8%时，再结晶后的晶粒特别粗大，此时的变形度即所谓临界变形度 * 六 再结晶的应用 恢复变形能力 改善显微组织 再结晶退火 消除各向异性 提高组织稳定性 再结晶温度：T再＋100～200℃。 ? * 第四节 晶粒长大 晶粒长大：再结晶过程结束之后发生的晶粒长大过程。 条件：继续升温或者延长保温 驱动力：界面能差； 长大方式：正常长大； 异常长大（二次再结晶） 与再结晶的驱动力比较？ * 一、晶粒的正常长大 1 晶粒的长大方式 长大是以大角度晶界迁移、晶粒相互吞食方式进行的。 图7－14 铝晶粒长大的晶界迁移 （1－迁移前的晶界位置 2－迁移后的晶界位置） 晶粒长大是通过大晶粒吞食小晶粒，晶界向曲率中心移动的方式进行的。 方向恰恰和再结晶过程晶粒长大相反 * 2 晶粒长大的驱动力 界面能差。（即总的界面能降低