半导体制作工艺掺杂.pptxVIP

芯片制造工艺 掺杂;主 要 内 容;为了在硅片内部指定区域得到选择性掺杂，核心步骤为： （1） 在硅片表面生长一层二氧化硅层。该二氧化硅层除了保护硅片表面和绝缘外，其关键是作为掺杂杂质的阻挡层。二氧化硅层将阻挡掺杂原子进入硅表面。 （2） 在硅片表面的二氧化硅层上确定“窗口”（window）。该窗口的大小和形状对应于需要的掺杂区域。 （3） 用腐蚀剂去掉窗口内的二氧化硅，但不除去硅，使窗口的硅表面暴露在外。 （4） 把整个硅片置于掺杂源下，通过扩散或离子注入使掺杂原子进入二氧化硅未覆盖的区域中，从而改变硅的杂质性质。 ;5.1 概述 ;ⅢA族受主掺质(P型);5.2 扩散;扩 散 机 理;P在硅中的扩散曲线;多晶硅中的杂质扩散;5.2.1 间隙扩散;间隙式扩散;对间隙杂质来说，间隙位置是势能极小位置，相邻的两个间隙之间是势能极大位置。间隙杂质要从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置上，必须要越过一个势垒，势垒高度Wi一般为0.6 ~ 1.2eV。 间隙杂质一般情况下只能在势能极小位置附近做热振动，振动频率约为1013~1014/s,室温下平均振动能只有0.026eV，也就是在1200度的高温下也只有0.13eV。 间隙杂质只能依靠热涨落才能获得大于Wi的能量，越过势垒跳到近邻的间隙位置。; 温度越高，间隙杂质的跳跃率越高，间隙式扩散越容易。;5.2.2 替位（