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中国科学院微电子研究所2020 年秋季博士研究生入学考试 申请-考核制英语考试大纲 考试对象 报考中国科学院微电子研究所及中国科学院大学微电子学院相关专业拟攻 读博士学位的考生。 考试目的 检验考生是否具有进入攻读博士学位阶段的英语水平和能力。 考试类型、考试内容及考试结构 本考试为闭卷考试，共分四部分：选择题、科技文献阅读、翻译、写作。 要求考生掌握常用的日常英语表达；掌握微电子专业、电子信息类相关的常 用专业词汇；具有阅读科技文献、微电子领域学术论文的基本能力（①集成电路 设计 ②半导体器件工艺 ③计算机物联网，三选一），具备中英互译能力、用英 语表达思想或传递信息的能力以及对英文写作基础知识的实际运用能力。 考试时间及计分 考试时间总计为180 分钟，卷面总分100 分。 中国科学院微电子研究所博士研究生入学考试 《半导体物理》考试大纲（仅供参考） 一、考试科目基本要求及适用范围 本考试大纲适用于中国科学院微电子研究所“微电子学与固体 电子学”专业的博士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学 与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶 格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子 的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半 导体的表面和界面─包括 p-n 结、金属半导体接触、半导体表面及 MIS 结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶 半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地 掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识 分析问题和解决问题的能力。 二、考试形式和试卷结构 考试采取闭卷笔试形式，考试时间180 分钟，总分100 分。 试卷结构为：基础概念题占60 ％，共 10 道题； 综合运算题占 40 ％，共 3 道题。 三、考试内容 （一）半导体的电子状态： 半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带， 半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴， 回旋共振，硅和锗的能带结构，III －V 族化合物半导体的能带结构， II －VI 族化合物半导体的能带结构。 （二）半导体中杂质和缺陷能级： 硅、锗晶体中的杂质能级，III －V 族化合物中杂质能级，缺陷、 位错能级。 （三）半导体中载流子的统计分布 状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流 子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布， 简并半导体。 （四）半导体的导电性 载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓 度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼 方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散 射，耿氏效应。 （五）非平衡载流子 非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能 级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动， 爱因斯坦关系式，连续性方程式。 （六）p-n 结 p-n 结及其能带图，p-n 结电流电压特性，p-n 结电容，p-n 结击 穿，p-n 结隧道效应。 （七）金属和半导体的接触 金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数 载流子的注入和欧姆接触。 （八）半导体表面与MIS 结构 表面态，表面电场效应， MIS 结构的电容－电压特性，硅─二 氧化硅系数的性质，表面电导及迁移率，表面电场对 p －n 结特性 的影响。 （九）异质结 异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中 的应用，了解异质结量子阱结构及其电子能态，半导体超晶格。 （十）半导体的光、热、磁、压阻等物理现象 半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导 体的光生伏特效应，半导体发光，半导体激光，热电效应的一般描 述，半导体的温差电动势率，半导体的玻尔帖效应，半导体的汤姆 孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用