材料腐蚀与防护概论基本第1章.pptVIP

(4)温度的影响 图１-１９　金属氧化的电池模型a)及其等效电路b) 图１-２０　FAl表面微晶化处理后的氧化动力学 晶体中原子在表面、晶界、位错处的扩散速度比原子在晶内扩散的速度要快，因此称原子在表面、晶界、位错处的扩散为短路扩散。 由于表面、晶界、位错占的体积份额很小，所以只有在低温时（晶内扩散十分困难）或晶粒非常细小时，短路扩散的作用才起主要作用。 图１-２１　金属同时生成O和O两层氧化膜的模型 在氧气气氛中合金生成内外两层氧化膜,外层氧化膜主要为Fe2O3和Fe3O4,内层氧化膜主要为(Fe、Cr)3O4;随氧化时间延长和氧化温度升高,氧化膜厚度不断增加,但内层与外层氧化膜之间的结合力以及内层氧化膜与顶头基体之间的结合力,不随氧化膜厚度的增加而增大,当氧化时间和温度超过个某个范围后,所生成氧化膜间的结合力反而降低。 图１-２２　在900～１０５０°C铜的抛物线氧化速度常数与氧分压的关系 物相组成和分布与成膜时间及膜的深度无关;氧化膜的硬度随着氧化时间的增加而增加 视生成挥发性氧化物蒸气压的大小，蒸发过程对金属氧化可造成不同程度的影响。当蒸发过程较快时，无法形成保护性的氧化膜，金属将发生灾难性的氧化，例如W和Mo的氧化，因此灯泡中的钨丝必须在惰性气体保护下才能工作。当蒸发过程较慢时，金属表面同时存在着由于离子扩散氧化膜不断增厚和氧化膜生成挥发物质而变薄这两种作用