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- 2020-01-30 发布于上海
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扫 描 电 子 显 微 镜 原 理Theory of Scanning Electron Microscope;OM,TEMSEM的成像原理;OM,TEMSEM的比较表; 扫描电镜的优点;Optical Microscope VS SEM;扫描式电镜结构原理图;一.照明系统;电子枪的结构;电子枪的工作原理;电子枪的分类;钨丝电子源;场发射枪;二.成像电磁透镜系统;扫描式电子显微镜的透镜系统;扫描式电子显微镜的透镜系统;三.样品室、真空及电气系统;电子束与样品作用后产生的信号;各种信号的深度和区域大小;可供SEM侦测的信号:;二次电子产额δ与二次电子束与试样表面法向夹角有关,δ∝1/cosθ。
因为随着θ角增大,入射电子束作用体积更靠近表面层,作用体积内产生的大量自由电子离开表层的机会增多;其次随θ角的增加,总轨迹增长,引起价电子电离的机会增多。;(a)陶瓷烧结体的表面图像(b)多孔硅的剖面图;可供SEM侦测的信号:;背散射电子像;两种图像的对比;四.影像侦测记录系统;影像的产生;二次电子探测器示意图;二次电子大部分信号穿过栅网,打到闪烁体上,转换成光信号,经光电倍增管输出的电流信号接到视频放大器,再稍放大后即可用来调制显像管亮度,从而获得图像。;低真空二次电子探头;扫描式电子显微镜放大原理;影像放大倍率的改变;五. 扫描电子显微镜的主要性能;分辨率;景深 ;六. 样品制备;;七、注意事项;THE END
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