电子技术第1章半导体器件的基本知识.pptVIP

（1）截止区 图1-23中IB=0的曲线与横轴所夹区域即为截止区。工作在截止区的晶体管其基极电流为零，集电极电流仅为集电极反向电流ICBO，其值也接近于零，管子处于截止状态。 （2）饱和区 图1-23中从坐标原点开始至曲线渐成平坦部分为止所夹区域，即虚线与纵轴所夹部分为饱和区。工作在该区域的晶体管集电极与发射极之间的电位差很小（硅管≤1V），基极电流的改变不再影响集电极电流。此时，发射结和集电结均正偏，基极电流失去了对集电极电流的控制作用。管子刚进入饱和状态时的基极电流叫做临界饱和基极电流。 （3）放大区 图1-23中曲线与曲线之间近似平行且间隔几乎相同的区域即为放大区。工作在该区域的晶体管集电极与发射极之间的电位差一般大于1V（硅管），发射结正偏，集电结反偏。曲线平行且间隔相等，，放大区也称为线性区。 2．输出特性曲线 3．晶体管工作在3种不同工作区外部的条件和特点 工作状态 NPN型 PNP型 特点 截止状态 发射结、集电结均反偏 VB＜VE、VB＜VC 发射结、集电结均反偏 VB＞VE、VB＞VC IC ≈0 放大状态 发射结正偏、集电结反偏 VC ＞VB ＞VE 发射结正偏、集电结均反偏 VC＜VB＜VE IC ≈βIB 饱和状态 发射结、集电结均正偏 VB＞VE、VB ＞VC 发射结、集电结均正偏 VB＜VE、VB＜VC UCE＝UCES 表1-1 晶体