电子技术基础第8章 电力电子学基础.pptVIP

Chap 8.1 晶闸管(可控硅) 8.1.1 晶闸管的基本结构和工作原理 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一起种大功率半导体器件。它具有三个PN结和四层半导体结构，由四层半导体的两端及中间层各引出阳极A、阴极K和控极G。 螺栓式晶闸管, 平板式的晶闸管 导通条件： UAK ? 0 VG ? 0 (导通后可去掉) 晶闸管是一个可控的单向导电开关 与二极管比: 正向导电受控制极电流的控制 与三极管比: 阳极电流与控制极不成比例关系 晶体管T2处于正向偏置，控制极与阴极间的电压产生控制极电流IG, 就是T2的基极电流IB2，经过T2管的电流放大作用，T2的集电极电流， 而IC2又是T1的基极电流，经过T1管的电流放大作用，T1的集电极电流 ，该电流又流入T2的基极再一次放大。这样，形成了强烈的电流正反馈，使T1、T2迅速饱和导通， 控制极未加正向电压时 导通时的特性 控制极加正向电压时 没有导通时的特性 + _ + _ 8.1.2 晶闸管的伏安特性 （1）当控制极UG=0，IG=0时，阳极和阴极之间加正向电压，此时晶闸管的三个PN结因有一个PN结处于反向偏置，其中只有很小的电流流