光电型传感器重点.pptxVIP

第六章 光电型传感器 ; 光电传感器是将光信号转换为电信号的一种传感器。用这种传感器测量其它非电量（如转速、浊度）时，只要将这些非电量转换为光信号的变化即可。测量方法具有：结构简单、精度高、反应快、非接触等优点。 对光的认识，最早是有争议的。牛顿论文之中提出，光的本质是微粒的，光是由许多球形微粒组成，微粒以高速作直线运动。当时的争议：①法国的笛卡尔假说“微粒说”，但不以实验为根据，而是假说；②英国胡克和荷兰的惠更斯“波动说”，宇宙间的物体内存在着一种看不见、摸不着的“以太”物质，把光与声音类比，认为光是一种机械波，发光体在“以太”（不存在）中激起不同深度和大小的颤动，依靠“以太”传播。牛顿偏向微粒，但他认为实验不充分，一直在做实验，牛顿环现象是光具有波动性的最好证明。一直到20世纪初，科学家已肯定光的波粒二象性。 ;第一节 外光电效应 ;光电效应分为三类： ①???? 在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称外光电效应。 例如：光电管、光电倍增管。 ②???? 在光电作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应。 例如：光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管和光敏晶闸管。 ③在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应。 例如：光电池。;一、光电管 ;mυ= hг-A 爱因斯坦光电方程。 它揭示了光电效应之本质。 根据光子假设，入射光的强度S的表达式： S=Nhг。 其中：N—单位时间内通过单位垂直面积的频率г的单色光的光电子数。 由光电效应方程式可得出：①照射在物体上的光线（入射光）通常不是单色光，而是含有多种频率的光。②光电子逸出物体表面时具有出速度。当入射光频率г 大于该金属极限频率г（红限）时，光强度再弱也能发射电子；当入射光频率г小于г 时，光强度再大也不能发射电子。 ;;二、光电管工作原理 ;光电管的阴极和阳极分别接电源的负极和正极。没有光照射时，因光电管光阴极不发射电子，电路不通；有光照射时，光电阴极发射的光电子，在阳极高电位作用下形成光电流，可以在电阻R上取出与光电流???正比的信号电压。让光（被测）照射在光电管的阴极上，可通过测量电路中光电流（或R上的电压）的大小，来测量光电阴极发射的光电子数量。由这个数量在找出被测光强的大小。如图6—2所示。 ;;第二节 光电管特性 ;;二、光电管伏安特性 ;;三、光电管光电特性 ;;第三节 光电倍增管 ;;一、光电倍增管工作原理 ;二、光电倍增管伏安特性;;三、光电倍增管光电特性 ;;四、光电倍增管的倍增系数与工作电压的关系 ;光电倍增管的工作电压是指收集阳极A与光电阴极K之间的电压。 光电倍增管倍增系数与工作电压的关系是光电倍增管的重要特性。图6—9是典型的光电倍增管倍增系数与工作电压的关系曲线，说明随着工作电压的增加，倍增系数M也增加。 ;;第四节 光敏电阻;一、光敏电阻结构原理 ;原理：当光敏电阻受到光照时，若光子能量hг大于该半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子能量后跃迁到导带，就产生一个电子—空穴对，使电阻率变小。光照愈强，阻值愈低。入射光消失，电子—空穴对逐渐复合，电阻也逐渐恢复原值。当无光照射时，由于光敏电阻的阻值太大使电路中电流很小；当有适当波长范围内的光线照射时，因阻值变小，电路中电流也就增加，根据电流表测出的电流值的变化，即可推算出照射光强的大小。 ;;二、光敏电阻的暗、亮电阻 ;三、光敏电阻的光电特性 ;;四、光敏电阻的伏安特性 ;;第五节 光敏二极管、光敏三极管、光敏晶闸管 ;一、光敏二极管结构及工作原理 ;;二、光敏三极管结构及工作原理 ;;三、光敏晶闸管的结构及工作原理 ;;第六节 光电型传感器应用 ;一、光电倍增光在闪烁计数器中的应用 ;;二、光电控制 ;;三、光强控制 ;;四、太阳电池电源 ;;五、脉冲编码器 ;;六、光电转速传感器 ;;频率可用一般的频率计测量。光电器件多采用光电池、光敏二极管和光敏三极管以提高寿命、减小体积、减小功耗和提高可靠性。 光电转换电路如图6—22所示。T1为光敏三极管，当光线照射T1时，产生光电流，使R1上压降增大，导致晶体管T2导通，触发由晶体管T3和T4组成的射极耦合触发器，使UO为高电位。反之，VO为低电位。该脉冲信号V可送到计数电路计数。 ;;第七节 光电型传感器综合训练 ; 8. 光敏二极管工作时，其上（ ） A、加正向电压 B、加反向电压 C、不需加电压 D、加正向、反向电压都可以 9. 光敏三极管的结构，可以看成普通三极管的（ ）用光敏二极管代替。 A、集电极 B、发射极 C、集电结 D、发射结