光电子技术电光调制概要.pptxVIP

《光电子技术》Photoelectronic Technique第七讲 电光调制周自刚 本讲主要内容纵向电光调制一、强度调制横向电光调制二、相位调制40 电光调制的物理基础是电光效应，即某些晶体在外加电场的作用下，其折射率将发生变化，当光波通过此介质时，其传输特性就受到影响而改变，这种现象称为电光效应。 泡克耳斯效应（Pockels)：平面偏振光沿着处在外电场内的压电晶体的光轴传播时发生双折射现象，且两个主折射率之差与外电场强度成正比的电光效应。 39一、强度调制利用泡克耳斯效应实现电光调制可以分为两种情况。 一种是施加在晶体上的电场在空间上基本是均匀的，但在时间上是变化的。当一束光通过晶体之后，可以使一个随时间变化的电信号转换成光信号，由光波的强度或相位变化来体现要传递的信息，这种情况主要应用于光通信、光开关等领域。 另一种是施加在晶体上的电场在空间上有一定的分布，形成电场图像，即随x和y坐标变化的强度透过率或相位分布，但在时间上不变或者缓慢变化，从而对通过的光波进行调制。38xx’y’45o45oy垂直偏振水平偏振输出x’xy’-yzV一、强度调制1. 纵向电光调制（通光方向与电场方向一致）自然光输出光37一、强度调制1. 纵向电光调制 沿z轴入射的光束经起偏器变为平行于x轴的线偏振光，进入晶体后(z=0)被分解为沿x’和y’方向的两个分量，两个振幅(等于入射光振幅的1/）和相位都相等，分别为：采用复数表示36 当光通过长度为L的晶体后，由于电光效应，E x’和E y’二分量间就产生了一个相位差 ，则一、强度调制1. 纵向电光调制由于光强正比于电场的平方，因此，入射光强度为35xx’y’45o45oy一、强度调制1. 纵向电光调制 与之相应的输出光强为：注意要用到：34一、强度调制1. 纵向电光调制 将出射光强与入射光强相比，得：怎么来的？33T (%)0V一、强度调制1. 纵向电光调制 T称为调制器的透过率。从而可以画出光强调制特性曲线。32T(%)100透射光强时间0V?VV1调制电压一、强度调制1. 纵向电光调制 在一般情况下，输出的光强和调制电压并不是线性关系－波形失真。 调制的目的：利用调制传递信息。如果在调制过程中波形失真，使调制的信号不能还原——达不到目的。31100透过率(%)透射光强50时间0V?电压V?/2调制电压一、强度调制1. 纵向电光调制 为了获得线性调制，可以通过引入一个固定的π /2相位延迟，使调制器的电压偏置在T＝50％的工作点上。常用的办法有两种：30？一、强度调制1. 纵向电光调制 其一，除了施加信号电压之外，再附加一个 Vλ/4 的固定偏压，但会增加电路的复杂性，且工作点的稳定性也差。自然光输出光x-yz29水平偏振输出?波片入射光垂直起偏器水平检偏器V调制器一、强度调制1. 纵向电光调制 其二，在光路上插入一个1／4波片其快慢轴与晶体主轴x成45o 角，使Ex’和Ey’二分量间产生 ?/2 的固定相位差。则总相位差出射光28xP1P2zIiyx?y?入射光调制光LIo~V检偏器?/4波片起偏器一、强度调制1. 纵向电光调制 △?m = ?Vm/V? 是相应于外加调制信号Vm的相位延迟。 Vm sinωmt 是外加调制信号电压。27一、强度调制1. 纵向电光调制 把代入到调制的透过率中利用贝塞尔函数恒等式展开26一、强度调制1. 纵向电光调制 得 但输出的调制光中含有高次诣波分量，使调制光发生畸变。为了获得线性调制，必须将高次谐波控制在允许的范围内。25若取 ＝1rad一、强度调制1. 纵向电光调制 设基频波和高次谐波的幅值分别为I1和I2n+1, 则高次谐波与基频波成分的比值为 则J1 (1)=0.44, J3(1)=0.02, 所以I3 /I 1 =0.045，即三次谐波为基波的4.5%。在这个范围内可以获得近似线性调制。24一、强度调制1. 纵向电光调制 如在sin(△?m sinωmt) 中△?m 取远远小于1，即:作为线性调制的判据。 此时23一、强度调制1. 纵向电光调制 结论 实现线性调制，需调制信号不宜过大(小信号调制)，那么输出的光强调制波就是调制信号V=Vm sinωmt 的线性复现。 如果△?m 1rad的条件不能满足(大信号调制)，则光强调制波就要发生畸变。 纵向电光调制器： 结构简单、工作稳定、不存在自然双折射的影响等优点。 半波电压太高，特别在调制频率较高时，功率损耗比较大等缺点。22一、强度调制2．横向电光调制（通光方向与电场方向垂直）横向电光效应可以分为三种不同的运用方式： (1)沿z轴方向加电场，通光方向垂直于z轴，并与x或y 轴成45o夹角(晶体为45o-z切割)。21一、强度调制2