ds18b20 C程序proteus仿真设计.doc

.专业整理. .学习帮手. DS18B20测温显示，proteus仿真。 Written by jinsongliang 具体程序如下 Main.c： #includereg51.h #includelib51v3.c #include18b20.c #includesegv3.c void main (void) { unsigned char disp[5]={10,0,0,14,2}; signed char temp=0; while(1) { /*1、读取温度值*/ temp=Get_Temputer(); //2、显示前处理*/ if(temp0) {disp[0]=13; temp=-temp; disp[1]=temp/10; disp[2]=temp%10; } else {disp[0]=temp/100; disp[1]=temp/10-disp[0]*10; disp[2]=temp%10; if(!disp[0]) //百位数不为0则显示，若要显示0，可将其注释掉 disp[0]=10; } //3、显示*/ Seg_Display(disp); } } Lib51v3.c void Delay_Nus (unsigned char n) { while(n--); //for (;n0;n--); } 18b20.c： /****************************************************************** 时序很重要，移植时注意延时函数 ******************************************************************/ #define B20_PORT P1 //此处可以设置I/O口 #define B20_CHANNEL 0 #define R_B20_CHANNEL() B20_PORT(1B20_CHANNEL) #define W_B20_CHANNEL_1() B20_PORT|=(1B20_CHANNEL) #define W_B20_CHANNEL_0() B20_PORT=~(1B20_CHANNEL) #define SKIP_ROM 0xCC #define TEMPUTER_CONVERT 0x44 #define READ_ROM 0xBE //one /* 初始化函数，失败会返回1，初始化过程见注释 若单片机读到了数据线上的低电平“0”后，还要做延时， 其延时的时间从单片机发出的高电平算起最少要480微秒。 之后单片机将数据线再次拉高到高电平“1”后结束。 */ static unsigned char Init_18b20 (void) { unsigned char x=0; W_B20_CHANNEL_1(); //1、从单片机拉高数据线开始 Delay_Nus(8); //6*n useconds lib51v3.c W_B20_CHANNEL_0(); Delay_Nus(81); W_B20_CHANNEL_1(); //2、单片机拉低数据线480us以上，拉高数据线，释放 Delay_Nus(14); //3、之后ds18b20，15~60us以后反应，拉高数据线 x=R_B20_CHANNEL(); //4、单片机读取数据线 if(x) return x; Delay_Nus(20); return x; //x=0代表复位成功 } //two static void Write_18b20(unsigned char w_data) { unsigned char i; unsigned char temp; for(i=0;i8;i++) { W_B20_CHANNEL_1(); temp=w_data(10); W_B20_CHANNEL_0(); //单片机从高到低，拉低1us以上，并在15us内产生写间隙 B20_PORT=tempB20_CHANNEL; //写数据，(先写低位) Delay_Nus(7); //15~60us内18B20采样 w_data=1; } W_B20_CHANNEL_1(); Delay_Nus(4); } //three st