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正确理解?IGBT?模块规格书参数 本文将阐述?IGBT?模块手册所规定的主要技术指标，包括电流参数、电压参数、开关参 数、二极管参数及热学参数，使大家正确的理解?IGBT?模块规格书，为器件选型提供依据。 本文所用参数数据以英飞凌?IGBT?模块?FF450R17ME3?为例。 一、电流参数 1.?额定电流（IC?nom） 大功率?IGBT?模块一般是由内部并联若干?IGBT?芯片构成，FF450R17ME3?内部是?3?个?150A 芯片并联，所以标称值为?450A 额定电流可以用以下公式估算： Tjmax–TC=?VCEsat·IC?nom·RthJC VCEsat?是?IC?nom?的函数，见规格书后图?1，采用线性近似?VCEsat=(IC nom+287)/310 Tjmax=150℃,TC=80℃,RthJC?=0.055K/W 计算得：IC?nom=500A 2.?脉冲电流（Icrm?和?Irbsoa） Icrm?是可重复的开通脉冲电流（1ms?仅是测试条件，实际值取决于散热情况） Irbsoa?是?IGBT?可以关断的最大电流 所有模块的的?Icrm?和?Irbsoa?都是?2?倍额定电流值 3.?短路电流?ISC 短路条件:t10μs,Vge15V,RgRgnom(规格书中的值)，Tj125℃ 短路坚固性 ?IGBT2?为平面栅?IGBT:5-8?倍?IC ?IGBT3/IGBT4?为沟槽栅?IGBT:4?倍?IC 二、电压参数 1.?集电极-发射极阻断电压?Vces 测量?Vces?时，G/E?两极必须短路 Vces?为?IGBT?模块所能承受的最大电压，在任何时候?CE?间电压都不能超过这一数值，否则 将造成去器件击穿损坏 Vces?和短路电流?ISC?一起构成了?IGBT?模块的安全工作区：RBSOA?图 由于模块内部寄生电感△V=di/dt*Lin?在动态情况下，模块耐压和芯片耐压有所区别 2.?饱和压降?VCEsat IFX?IGBT?的?VCEsat?随温度的升高而增大，称为?VCEsat?具有正温度系数，利于芯片之间实 现均流 VCEsat?是?IC?的正向函数，随增大而增大?IC VCEsat?的变化 VCEsat?随?IC?的增大而增大 VCEsat?随?VG?的减小而增大 VCEsat?值可用来计算导通损耗 对于?SPWM?控制,?导通损耗是: 三、开关参数 1.?内部门极电阻?RGint 为了实现模块内部芯片的均流，模块内部集成了内部门极电阻。在计算驱动器峰值电流的时 候，这个电阻值应算为门极总电阻的一部分。 外部门极电阻是客户设定的，它影响?IGBT?的开关速度。文章来源： /jc/156.html 推荐的?Rgext?最小值在开关参数测试条件中给出客户可以使用不同的和?RGon?和?RGoff 最小?Rgon?受限于开通?di/dt，RGoff?最小受限于关断?dv/dt。RG?过小会引起震荡而损坏 IGBT RGext?的取值 IGBT?要求的?RGext?的最小值 驱动器要求的?RGext?的最小值 2.?外部门极电容(CGE) 为了控制高压?IGBT?的开启速度，推荐使用外部门极电容?CGE 有了?CGE?，开启过程的?di/dt?和?dv/dt?可以被分开控制，即可以用更小的?RG?;从而实现了 低的开关损耗和较低的开通?di/dt 3.?门极电荷(QG) QG?用来计算驱动所需功率，为?VGE?在+/-15V?时的典型值 4.?Cies,?Cres Cies?=?CGE?+?CGC:?输入电容（输出短路）?Coss?=?CGC?+?CEC:输出电容（输入短路） Cres?=?CGC:?反向转移电容(米勒电容)?频率?f，所需的驱动功率: 5.?开关时间(tdon,?tr,?tdoff,?tf) 开关时间很大程度上受?IG(RG)、IC、VGE、Tj?等参数影响，这些值可用来计算死区时间。 tPHLmax：驱动输入高到低的延时 tPLHmmin：驱动输入低到高的延时 6.?开关参数(Eon,?Eoff) 英飞凌按照“10%-2%”积分限计算开关损耗，而有些其他厂商按照“10%-10%”计算， 后者结果比前者会小?10?–25% Eon,?Eoff?受?IC,?VCE,?驱动能力(VGE,?IG,?RG),?Tj?和分布电感影响我们假设?Eon?和?Eoff 正比于?IC,在?VCE_test（900V)的?20%范围内正比于?VCE，则有： 四、二极管参数 1.?阻断电压(VRRM) 类似于?VCES?at?Tj?25℃ 2.?额定电流(IF) 3.?脉冲电流(ICRM) 4.?抗浪涌能力(I2t) 这个值定义了二极管的抗浪涌电流的能力，用于选择输入熔断器。熔断器数值应