12晶体三极管开关特性.pptxVIP

1、三极管的三种工作区域饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的 数值较小，一般vCE＜0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。饱和区放大区——iC平行于vCE轴的区域， 曲线基本平行等距。 此时，发射结正偏，集 电结反偏，电压大于 0.7 V左右(硅管) 。放大区截止区饱和区放大区截止区2、三极管的三种工作状态①、放大状态三极管工作在放大区。三极管放大条件：放大特点：三极管有放大能力，i c ＝βi b 基极电流IB对集电极电流IC有很强的控制作用,IC=βIB。从特性曲线上可以看出，在相同的VCE条件下，IB有很小的变化量ΔIB，IC就有很大的变化量ΔIC。饱和区放大区截止区2、三极管的三种工作状态②、饱和状态三极管工作在饱和区。 饱和区VCE比较小，也就是IC受VCE显著控制区。即将输出曲线直线上升和弯曲部分划为饱和区。三极管饱和条件：i b ≥ IBS基极电位高于发射级、集电极电位。饱和区ccbb++放大区VCESVBES--截止区ee2、三极管的三种工作状态三极管饱和特点： 当VCE减少到一定程度后，集电结收集载流子的能力减弱，造成发射结“发射有余，集电结收集不足”，集电极电流IC不再服从IC=βIB的规律。三极管饱和时的等效电路：硅管 0.7V硅管 0.3V锗管 0.1V锗管 0.3V不考虑管压降时的等效电路等效于开关闭合饱和区cb放大区截止区e2、三极管的三种工作状态③、截止状态 三极管工作在截止区，IB=0曲线以下。三极管截止条件：发射结、集电结均反偏。VBE≤0VBC0三极管相当于开路等效于开关断开三极管截止等效电路： 所以可以利用三极管饱和、截止状态作开关。三极管PN结四种偏置方式组合发射结(be结)集电结(bc结)工作状态正偏反偏放大状态正偏正偏饱和状态反偏反偏截止状态反偏正偏倒置状态VCC=6Vi cRC2KΩvoRBviβ=50i b+3V-1V例：共发射极电路当Vi 0 时：三极管截止，工作在特性曲线A点。当 i b＝60μA时i C = βi b =50X60=3mAT 临界饱和 根据VCC和RC值，在输出特性曲线上画一条负载线。当i b60μA时i C 几乎不变。三极管进入饱和区。饱和时集电极电流：临界饱和时基极电流：如何判断三极管工作状态首先求出基极电流然后求出临界饱和时基极电流：三极管工作在饱和状态，大的越多，饱和的越深。三极管工作在放大状态三极管工作在截止状态VCCi cRCvoRBvii b2、三极管开关惰性理想情况下：（饱和、截止动作瞬时完成）Vi = －Vb1时：T 截止Vi = ＋Vb2时：T 饱和 三极管开关和二极管开关一样，都存在开关惰性。三极管在作开关运用时，三极管饱和及截止两种状态不是瞬时完成。因为三极管内部存在着电荷建立和消散过程。VCCi cRCvoRBvii b三极管开关惰性实际情况下：Vi = - Vb1 时：T 截止 i b ≈ 0i c ≈ 0 输入由－Vb2上跳到＋Vb1,T由止→放大→饱和。输入由＋Vb2下跳到-Vb1,由饱和→放大→止。需要经历四个时间：延迟时间: i c 由0上升到0.1 i c max上升时间: i c 由0.1 i c max上升到0.9 i c max存储时间: i c 由 I c max下降到0.9 i c max下降时间:i c 由0.9 i c max下降到0.1 i c maxT由截止→导通需要的时间：tON =td+trT由导通→截止需要的时间：tOff=ts+tf开关惰性形成的原因：用基区电荷分布图说明电子浓度三极管由截止进入饱和过程：当输入发射结由：反偏→正偏所需时间 td发射结正偏后：临饱正向偏压基极驱动电流放大由小到大变化发射区扩散到基区电子数正偏集电极收集的电子数当基区的电子浓度增加到 4 时：集电极电流达到临界饱和：ICS基区中电子积累所需时间：t r开关惰性形成的原因：当i b继续增加：电子浓度 IB≥IBS 时，发射结发射有余，集电极收集不足。过剩电子在基区积累，如 4→5。这段时间就是存储时间 t s 深饱分析输入信号由：临饱 希望基极驱动电流i b 1很大，加速三极管由截止向饱和转变，缩短上升时间t r ，减少延迟时间，提高工作速度。放大正偏 虽然i b1增加带来td、 t r 减小。同时也会使 t s 增加。要求驱动电流不是常数，而是前大后小，前大加速建立，后小不过分饱和。开关惰性形成的原因：当输入三极管由饱和进入截止过程：电子浓度 由于基区电子不能立即消失，T 仍然饱和，其转变过程是：随正偏压的减小，基区存储的电子逐渐减小。5→4区间中电子积累从深饱和→浅饱和→临界饱