电磁兼容技术.pptxVIP

6.1 电磁屏蔽原理为了保证电设备的正常工作，需要对电磁波辐射进行控制，在通常采取的技术中，比较有效的技术均是基于以下3项技术：一是优化电路设计技术；二是配线分离技术(该技术包括线路板设计)；三是屏蔽技术。 电磁屏蔽就是以金属隔离的原理来控制电磁干扰由一个区域向另一个区域感应和辐射传播的方法。 按性质：电场屏蔽(静电场屏蔽及交变电场屏蔽)；磁场屏蔽(静磁场屏蔽及交变磁场屏蔽)；电磁场屏蔽(同时存在电场及磁场的辐射电磁场的屏蔽)等。 电磁屏蔽的机理是电磁感应现象。在外界交变电磁场作用下，通过电磁感应屏蔽壳体内产生感应电流，而这感应电流在屏蔽空间又产生了与外界电磁场方向相反的电磁场，从而抵消了外界电磁场对屏蔽体内电路的影响，产生了屏蔽效果。 静电场的屏蔽磁场的屏蔽金属对高频磁场的排斥作用 趋肤效应按结构： 分为完整屏蔽体屏蔽(屏蔽室或屏蔽盒等〕；非完整屏蔽体屏蔽(带有孔洞、金属网、波导管及蜂窝结构等)；以及编织带屏蔽(电缆等)。 6.1.1 屏蔽效能 电场强度与磁场强度之比称为波阻抗。对于任何已知电磁波，波阻抗是一个十分关键的参数，因为它决定了耦合效率，也决定了导体的屏蔽效能。对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽，电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量： SE = 20lg(E1/E2)dB SE = 20lg(H 1/H2)dB 其中E1为屏蔽前的场强 ，E2为屏蔽后的场强，Ｈ1为屏蔽前的磁场强度，Ｈ2为屏蔽后的磁场强度。如下图所示，屏蔽效能包括吸收损耗A、反射损耗R与多次反射损耗B三部分组成。 下图是最常见的3种屏蔽体在厚度为1毫米时的吸收损耗随频率变化的曲线。金属屏蔽体的吸收损耗与材料本身的特性密切相关。 金属屏蔽体的反射损耗与材料本身的特性(电导率、磁导率)有关;与金属屏蔽体所在的位置有关，还与场源特性有关。 总的屏蔽效能 SE = A 为吸收损耗+ R 为反射损耗+ B 为多次反射损耗。 单位都为 dB。 以Pam为电磁场从空气介质至金属面的反射系数，Pma 为电磁场从金属屏蔽体至空气介质面的反射系数，η为传播常数，η＝α＋jβ，其中α为衰减常数，β为相常数。电磁波在屏蔽体表面及体内的吸收及反射过程吸收损耗 A 屏蔽体中电磁能损耗由感生的涡流产生。由于高频涡流有趋肤效应，电磁场在金属屏蔽体中将以衰减常数α按指数规律衰减。衰减常数α即为涡流系数： δ为趋肤深度。当电磁波在介质中传播时，无论电场还是磁场，它们的幅度都是按照指数规律衰减： 常用金属的趋肤深度（mm）常用金属材料对铜的相对电导率σr 和相对磁导率μr6.1.2 屏蔽技术静电屏蔽静电干扰分为静电场感应产生的干扰和静磁场耦合产生的干扰。它们都可以用屏蔽方法来抑制。静电屏蔽应具有两个基本要点，即完善的屏蔽体和良好的接地。磁屏蔽常规屏蔽对低频磁场是无效的，因为低频场的屏蔽取决于反射而不是吸收。电磁屏蔽是用屏蔽体阻止高频辐射电磁波在空间传播的技术措施。屏蔽体起着切断或削弱电磁波传输的作用。 对于远场情况的交变电磁场，电场分量和磁场分量同时存在，交变电磁屏蔽的机理有3种理论：感应涡流效应。 电磁场理论。 传输线理论。 当要屏蔽的磁场很强时，如果使用高磁导率材料，会在强磁场中饱和，丧失屏蔽效能;使用低磁导率材料，由于吸收损耗不够，不能满足要求。遇到这种情况，可采用双层屏蔽。第一层屏蔽具有低磁导率，但不易饱和，第二层屏蔽具有高磁导率，但易饱和。第一层屏蔽先将磁场衰减到适当的强度，不会使第二层屏蔽饱和，第二层高磁导率材料能够充分发挥屏蔽效能。 对于近处频率很低的磁场骚扰源(AC或DC电源线、电源变压器、马达、继电器等)，磁旁路是另一种很有效的屏蔽方法。下图所示，为磁场提供一条磁阻很小的通路，将磁力线约束在这条低磁阻通路中，使敏感器件免受磁场的骚扰。 综上所述，得出结论：低频时，高磁导率材料的磁屏蔽效能高于高导电性材料；但当频率较高时，高导电性材料的磁屏蔽效能可能高于高磁导率材料。低频磁场屏蔽可使用高磁导率合金构成磁路，以短路磁力线。磁屏蔽效能与材料的厚度、磁导率成正比、与屏蔽体其他尺寸成反比。磁场很强时，要使用多层屏蔽，防止磁饱和。机械加工会降低高磁导率材料的屏蔽效能，但热处理后可以恢复。高磁导率材料的磁导率与频率有关，一般只用于1kHz以下。电缆屏蔽电缆屏蔽必须对整条电缆在360°范围内覆盖。对于同轴电缆，它的屏蔽层既传输信号的回流，又传输外部干扰电流。度量屏蔽电缆的屏蔽效能的方法：一种是屏蔽效能(SE)，另一种是转移阻抗(ZT)。6.2 电磁屏蔽材料6.2.1 覆膜类电磁屏蔽材料与工艺在机箱内外壁上覆盖一种或多种具有导电导磁的电磁波屏蔽膜，是对设备进行屏蔽的一个非常重要的方法。主要手段有：涂覆导电导磁涂料、金属溅射、真空镀铝、电镀、化学镀以及粘贴金属箔或复合箔等。