模拟集成电路中的基本单元电路.pptxVIP

第12章 模拟集成电路中的基本单元电路;12.1 单管、复合器件及双管放大级;复合管的输入电阻;2、共集、共射单元;3、复合PNP管;二、MOS管放大级;2．MOS共栅放大器;4．CMOS放大器; M1为NMOS管，M2为PMOS管，两管的衬底与它本身的源短接，VBS＝0；另外，两管的栅短接，输入信号Vi同时作用在两管上。因为两管的沟道不同，所以两管的电流方向相反，因此放大器的输出电流为两管电流之和。; 若将CMOS放大器的电压增益和输出电阻与E/E MOS放大器、E/D MOS放大器的电压增益和输出电阻相比较，可以看出，由于在一般情况下，gds比gm和gmb小一两个数量级，因而在相同的工作电流条件下，CMOS放大器的电压增益远高于E/E，E/D放大器，通常可达50～60dB，其输出电阻也比E/E、E/D放大器的输出电阻高；而且CMOS放大器有两种性能接近的互补管子，所以可以使许多模拟电路简化。由于以上这些特点，因此CMOS放大器被广泛地应用于MOS模拟大规模集成电路中。其缺点是工艺复杂、占用管芯面积较大。;12.2 恒流源电路; 在双极模拟集成电路中，一般选用NPN管作为放大器件，它需要互补的PNP管作为有源负载以增加增益，所以PNP恒流源在双极模拟电路中得到广泛的应用。各种NPN恒流源都可化为PNP恒流源，只要以PNP管代替NPN管并改变电源接法和电流的方向。; 由于横向PNP管容易做成共基极多发射极多集电极结构，而且各集电极的电流比，精确地决定于各集电极对应的有效发射区周长之比。这正符合恒流源设计的要求，给电路设计带来很多方便，且可节省隔离岛的数目，减小管芯的面积。;12.3 偏置电压源和基准电压源电路;一、双极型三管能隙基准源; 当需要较高的基准电压时，可在三管能隙基准源的输出基准电压上再叠加VBE和增加电阻比值，以实现接近5V的输出基准电压。;二、双极型二管能隙基准源; 改变R4/R5的比值，即可获得不同的输出，而又不会影响获得零温度系数的条件。适当选取R3的阻值，即可补偿由于基极电流流经R4产生的影响。采用这种电路可获得温漂小于0.0l％/℃，电压精度高达0.1％,而输出不是Vgo整数倍的基准电压。;三、E／D NMOS基准电压源; 第一增益级由M1～M4和M15构成，M3、M4是有源负载。M1～M4组成的???耦合对采用双端输出，其输出送至第二级差分放大器的输入端(M5、M6)的栅极。设计有源负载M3、M4时，不仅要求有较高的输出阻抗，而且要求其特性应严格匹配，以使M1、M2中的电流相等。为了保证M3、M4有相同的开启电压，其源极的电压(相对于衬底)必须相等。;即使当M9的负载电流发生变化时，M7和M8的源极电压(即M5与M6的漏极电压)始终相等。由于M5和M6的电流和Vds都各自严格匹配，这就保证了M5与M6有相等的栅极电压，从而使M3与M4的衬源和漏源电压相等。; M11～Ml5为偏置电路，提供恒流偏置，它使电路中各耗尽型器件均工作在饱和区。M16偏置是两级放大电路的总电流(I1＋I2)，由于此电路中各器件的电压及电流仅决定于M16的电流及各器件的几何尺寸，所以电路的电源电压抑制比较高。;四、CMOS基准电压源; CMOS基准源的基本出发点是利用上述指数特性，产生与绝对温度成正比的电压源(称为PTAT源)的正温度系数，补偿双极型晶体管BE结压降的负温度系数，从而得到温度系数较小的基准电压源。;2．CMOS基准电压源的工作原理;作业