LED封装产品介绍和技术-(赵强)（可修改）.pptVIP

* 共晶焊键合机理 Si Ni, Ti Au80Sn20 (Au, Ag)5Sn (Au, Ni)Sn (Ni, Au)3Sn2 Ag Cu 芯片上 AuSn结构 AuSn 和 Ag 反应后的层状结构 熔化的 AuSn 和基体上的 Au 或 Ag 反应 形成 Au (或Ag) Sn 的金属键化合物 焊料成份发生变化，熔点增加 焊料凝固 基体温度的降低也加快凝固 精品课件 * 一些需要考虑的问题 焊料厚度? ? 焊料量 ? ? 反应后，成份变化少， 处于液相的时间长 芯片倾斜，对准差 解决方法： 加快凝固速度 控制键合温度 提高反应速度 精品课件 * 回流焊 优点: 有效控制焊料的挤出现象 适合高芯片密度封装 技术难点 基板表面光滑度要求高 回流焊工艺曲线需要优化 助焊剂含量控制适当 带有共晶焊料层的芯片 过炉回流 助焊剂 基板 焊料熔化时无施加外力 精品课件 * 表面粗糙度的影响 焊料覆盖层也呈现条纹状 370 um 光学显微镜下观察到的条纹状基板表面 精品课件 * 助焊剂含量影响固晶质量 以上二个样品经过相同的回流焊工艺，只是助焊剂含量不同，但有明显不同的固晶质量 精品课件 * 回流焊工艺曲线的控制因素 助焊剂活化区 助焊剂分解、释放气泡， Sn和Ni容易反应区 Au-Sn反应区 控制晶粒尺寸, 焊料铺展范围内小空洞的形成区 必要但须适当 快速 不损伤芯片的最高温度 适当 精品课件 * 高温区加热速度的影响 左图的样品从 240?C 加热到焊料熔化温度是2分钟，而右图需时4分钟。固晶结果明显不一样。 精品课件 * 优化工艺曲线后焊接强度显著提高 剪切强度 1.94kg 剪切强度 750g 0.5 mm die 精品课件 * 热超声覆晶焊 基板 LED 压力 Au凸点 ( ( ( ( ) ) ) ) 加热 超声振动 焊盘 在基板上种植的Au凸点 Au凸点种植 热超声覆晶焊 精品课件 * 优点 无需焊线 散热性能好 增加发光率 技术难点 工艺流程较复杂 高精度的凸点种植和固晶工艺 有效的能量传递 成本 P极金属化层 GaN 光 反光层 透明Al2O3 Si基板 静电保护 金焊球 N极金属化层 覆晶焊 精品课件 * 固晶质量的评估 外表光学检测 固晶的位置精度 剪切试验 断面分析 正向电压和反向电流的测试 X-射线检测，X-ray 声学显微镜测试，C-SAM 剖面和扫描电子显微镜分析 精品课件 * 剪切测试及断面分析 失效模式 在焊料中间破坏 其它界面（强度高于客户要求） 其它界面（强度低于客户要求） 芯片损坏 剪切测试装置 精品课件 * LED电学性能检测（I-V曲线） 正向电压，Vf 取决于LED质量 低电阻，高效率 固晶后 Vf 可允许改变值 （0.1 – 0.2 V） 在5V下测试反向电流，IR 小于1 ?A 或 10 ?A LED LED 尺寸 正向电压 @10/1μA 正向电流, mA 正向电压 最大反向电流 @ 反向电压5V Min. Typ. Max. 蓝光LED 14mil 2.3V 20 2.8 / 3.4 1μA 大功率蓝光LED (1W) 40mil 2.3V 350 3.0 / 4.0 1μA 失效 通过 精品课件 * X-射线检测 带有小空洞的芯片焊接 无空洞的芯片焊接 带有大空洞的芯片焊接 精品课件 * 声学显微镜检测，C-SAM 无损 对缺陷的高敏感性 浸没在水中检测 工艺参数没有选择好时，呈现出没有结合的现象 C-SAM检测 Missing bump was not observed 精品课件 * 剖面分析 LED芯片 Si基板 Cross sections of packages after TS flip chip bonding 良好的焊接 精品课件 * 结合界面处存在间隙，与C-SAM测试结果吻合 Au bond Pad Au bump 基板 LED Au None bonding area was confirmed by cross section examination 剖面分析 Cross section line 精品课件 * 化学腐蚀后的焊接界面检测 焊线 覆晶焊 金属间化合物，IMC 使用有选择性的腐蚀液去掉金属层，显示焊接效果 精品课件 * 不同分析方法的比较 技术 破坏性的 所需时间 (10个芯片) 敏感性 注释 芯片剪切测试 是 几分钟 低 初步检查和测试 X-射线检测 非 10分钟 低/中 需要高分辨率仪器 C-SAM 非 (浸于水中) 1小时 中 (0.1μm) 需要高分辨率仪器 腐蚀后IMC检测 是 1小时 高 有选择性的腐蚀 剖面分析 是 1-2天 高 深入研究和细致分析方法 精品