数电电子第2章 逻辑门电路.ppt

四、TTL的不同系列 74系列的产品都是民用产品，除此以外，TTL还有54系列的产品——军用产品。两者参数相差不大，只是电源电压范围和工作环境温度范围不同，如下表所示。 第四节 CMOS集成门电路 MOS电路具有集成度高、功耗低、工艺简单等优点 ，但工作速度较低。MOS电路有PMOS电路、NMOS电路和CMOS电路，其中CMOS电路的应用最为广泛。 一、MOS管的开关特性 a）NMOS管　 b）PMOS管 CMOS器件内部集成的是绝缘栅型场效应晶体管（又称为MOS场效应管）。当在MOS管的栅极和源极之间加上特定的控制电压时，会在漏极和源极之间产生一个能够导电的通道，称为沟道。沟道有两种类型，一种为N沟道，对应的管子称为NMOS管；一种为P沟道，对应的场效应管称为PMOS管。 CMOS集成电路中集成有两种MOS管，一种是N沟道MOS管（NMOS管），另一种是P沟道MOS管（PMOS管），所以称为CMOS器件（互补型MOS器件）。 NMOS管和PMOS管的导通条件不同。 二.CMOS集成门电路 （一）CMOS反相器 CMOS反相器及其等效电路 CMOS反相器的主要特点： 1．静态功耗小。 2．工作速度较高。 3．静态传输特性好，抗干扰能力强 。 4．扇出系数大 。 5．允许的电源电压波动范围大。一般情况下，电源电压在3～18Ｖ之间变化时，CMOS反相器均能正常工作。 6．CMOS电路的主要缺点是输入端易被静电击穿，易在使用不当时损坏。 CMOS反相器电压传输特性 （二）其它逻辑功能的CMOS门 1．CMOS或非门 如 CD4025为三3输入或非门 。 2. CMOS与非门 如 CD4011为四2输入与非门 。 CMOS或非门电路 CMOS与非门电路 （三）特殊输出结构的CMOS门电路 1．漏极开路的CMOS门电路 在TTL中有ＯＣ门，与之对应，在CMOS中有漏极开路门，其用途与OC门类似。 漏极开路CMOS门 2．CMOS三态门 CMOS三态门也分为高电平有效和低电平有效两类。 与TTL三态门一样，CMOS三态门也可以方便地构成总线结构的电路。 （四）CMOS传输门和模拟开关 CMOS传输门 CMOS传输门和一个反相器结合起来，称为模拟开关。Ｃ=1，传输门导通；Ｃ=0，传输门断开。 模拟开关 第二章 逻辑门电路 第一节 逻辑状态与正负逻辑 一、逻辑状态和正负逻辑的规定 将高电平表示有信号，并用逻辑1表示；低电平表示无信号，并用逻辑0表示，称为正逻辑体制，简称正逻辑。 将低电平表示有信号，用逻辑1表示；高电平表示无信号，并用逻辑0表示，称为负逻辑体制，简称负逻辑。 二、标准高低电平的规定 a）正逻辑 b）负逻辑 高电平的下限值，称为标准高电平，用U SH 表示，低电平的上限值，称为标准低电平，用U SL表示。 在实际的逻辑系统中，应满足高电平U H≥ U SH，低电平U L ≤U SL。 第二节 分立元件门电路 一、二极管门电路 （一） 二极管的开关特性 二极管的主要特性是单向导电性。在二极管两端施加正向电压时，二极管导通。理想情况下可以认为二极管正向压降为零，相当于开关闭合。当二极管加反向电压时，二极管截止，反向电流很小而且基本不变，可以认为反向电流近似为零，理想情况下，可以等效为一个断开的开关。 可见，二极管在电路中具有开关作用。 二极管从截止到导通所需的时间叫导通时间，导通时间很短，通常可以忽略。二极管从导通变为截止所需的时间叫反向恢复时间，它比导通时间长。 二极管的开关参数主要有：最大正向电流IF、最大反向工作电压UR、反向恢复时间tre和零偏压电容C0。 (二) 二极管与门电路 二极管“与”门及其逻辑符号 a)二极管与门电路 b) 与门逻辑符号 Ｙ等于Ａ与Ｂ的与逻辑，表示为