数电电子第8章 半导体存储器和可编程逻辑器件.pptVIP

半导体存储器（semiconductor memory）是一种能存储大量二进制数据信息的半导体器件。在电子计算机以及一些数字系统的工作过程中，需要对大量的数据进行存储，因此存储器是数字系统的重要组成部分。 可编程逻辑器件（Programmable Logic Device，PLD）是一种新型的集成电子器件，是集成电路发展史上的一次飞跃，它的出现给数字系统的设计和开发带来了极大的方便，其应用也越来越广泛。 第一节 半导体存储器 从信息的存取看，半导体存储器可分为只读存储器（Read Only Memory，简称ROM）、随机存取存储器（Random Access Memory，简称RAM，又称读写存储器）和快闪存储器（Flash Memory，简称FLASH）三种类型。 一、只读存储器 ROM的种类很多，按所用器件类型的不同可分为二极管ROM、双极型ROM和MOS型ROM三种；按存储内容的写入方式又可分为固定ROM，可编程ROM和可擦可编程ROM三种。 （一）固定ROM 固定ROM又称为掩膜ROM，其存储的内容是在制造时利用掩模技术根据用户的要求制造的，出厂后不能更改。固定ROM主要由地址译码器、存储单元矩阵和输出电路三部分组成。 （二）可编程只读存储器（PROM） 对于固定ROM来说，在制造存储矩阵时，厂家需根据存储内容的要求设计掩模版，制作周期较长，在使用过程中，内容不能作任何变动，因此，只有产品批量较大时，才适宜做成固定ROM的形式。这种ROM适用于通用的固定程序，如指令操作、固定程序控制、字符显示等。对于有特定要求的小批量产品，或是尚在研制过程中的产品，用固定ROM是不经济的，因而采用PROM或EPROM为宜。 右图所示电路是一种可编程ROM（Programmable Read Only Memory，简称PROM）的存储单元结构，它是一种双极型熔丝结构的PROM单元电路。 PROM的内容在写入后不能更改，如果需要修改，那就只能用一片新的PROM再编程。为解决这一问题，可使用可擦可编程只读存储器 （Erasable Programmable Read Only Memory，简称EPROM）。 在常见的EPROM芯片中，大多采用浮栅雪崩注入型MOS器件（简称FAMOS）作存储元件。FAMOS基本上是一个P沟道硅栅MOS管，其特点是它的栅极完全被SiO2隔离（包围），处于悬浮状态，因此称为“浮置栅”。 采用FAMOS管的EPROM存储单元由一个MOS管和一个FAMOS管串联组成，如右图所示。 （三）可擦可编程只读存储器（EPROM） 另有一种电可擦除的可编程只读存储器，称为EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，也写作E2PROM）。它的存储结构类似于EPROM，只是它的浮栅上增加了一个隧道二极管，利用它由编程脉冲控制向浮栅注入电荷或泄放电荷，使FAMOS管处于导通状态或截止状态，从而实现电写入信息和电擦除信息。这种EEPROM可以对存储单元逐个擦除改写，因此它可以边擦除边写入，一次完成，速度比EPROM快的多，可重复改写的次数也比EPROM多，目前得到了广泛的使用。 27C16为MOS型EPROM，采用5V单电源供电，输入、输出电平与TTL兼容，其引脚排列图和内部结构框图见下图。 27C16芯片容量为2K×8位，采用24脚双列直插式封装，芯片的上方开有一个透明的石英玻璃窗口，以便于照射紫外线，擦除不用的信息，经过擦除后又可以进行重写。 EPROM27C16管脚排列图和内部结构框图 （四）用ROM实现组合逻辑函数 ROM的最大应用是在微处理机和计算机系统中作程序存储器和存放数学用表的存储器等，也可以用ROM实现组合逻辑函数。 从表8-1可以看出，如果把ROM的地址输入看做输入逻辑变量，把数据输出看做一组输出逻辑变量，那么，如图8-1所示的ROM就实现了4个二变量逻辑函数： ROM是以最小项表达式的方式实现逻辑函数的。 对于用ROM实现组合逻辑函数，可以归纳出： 1）ROM的地址线根数m=输入逻辑变量个数。 2）ROM的输出位数（字长）k=逻辑函数个数