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第三章 光电子发射探测器;3-1光电子发射效应;一金属的光电子发射;;二 半导体的光电子发射;半导体中光电子发射过程经以下三个步骤进行;需克服的表面势能;3—2光电子发射材料;二 常用的光电发射材料;1.银氧铯(Ag—0—Cs)阴极;碱金属与锑、铅、铋、铊等生成的金属化合物,如LiSb、NaSb、KSb等,长波限为700nm, 用于紫外和可见光。;当锑和几种碱金属形成化合物时.具有较高的响应度,其中有双碱、三碱和四碱等,统称多碱光电阴极。; 4.紫外光电阴极;三、负电子亲和势材料;三种电子亲和势能图; 前面讨论光电阴极都属于正电子亲和势(PEA)类型,表面的真空能级位于导带之上。但如果对半导体表面作特殊处理,使其能带在表面区域弯曲,真空能级降到导带之下,就获得负的电子亲和势,称作负电子亲和势光电阴极(NEA)。;●原来;
量子效率高 逸出深度微米量级
而多碱 纳米
B.光谱响应延伸到红外
NEA 而PEA
C.热电子发射小 由于不需克服EA,可选较大Eg, 使然
10-16A/cm2;
D.光电子的能量集中受激电子向表面迁移中,与晶格碰撞,能量降低到倒带底,继续向表面扩散逸出表面?光电子能量集中,都等于导带底能量?空间、时间分辨率↑;3—3 光电倍增管;斜劈式圆柱筒电极
10ns;不同的倍增管的结构;光电倍增管的基本特性参数;光电倍增管的基本特性参数;光电倍增管的基本特性参数;光电倍增管的基本特性参数;;灵敏度和光谱响应度
放大倍数-电流增益
暗电流
伏安特性、输出信号
等效电路
线性
稳定性
时间/频率特性
;灵敏度和光谱响应度
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