vhdl与数字集成电路设计vhdl22.pptxVIP

2.1 数字系统的基本运算单元 2.2 开关电路与CMOS结构 2.3 静态分析：最大集成设计 2.4 动态分析：延迟时间及缓冲处理; 1 高电平 0 低电平 理想电平: 1 Vcc 0 Gnd;问题：静态功耗太大；难以接近理想电平；;电路输出利用受输入控制的开关获得信号电平 静态功耗小，电平可以趋于理想化;2.2 开关电路与CMOS结构;;2种MOS开关器件 NMOS 高电平通，低电平断，传递低电平 PMOS 低电平通，高电平断，传递高电平;;2.2 CMOS器件的栅极电容;2.2 CMOS器件的寄生电容;2.2 NMOS寄生电容特性;2.2 NMOS寄生电阻特性;25 nm FINFET MOS transistor;CMOS互补逻辑结构;CMOS互补逻辑结构;互补逻辑结构特点;三输入器件的结构;4输入器件的结构;多级运算的结构;开路门结构