热处理原理与工艺脱溶分解.ppt

fcc晶体中原子的堆垛方式 A M N 热激活长大 （1）非共格（新相和母相非共格界面） 长大时无成分变化： ⑴界面迁移慢而扩散快，α相内无浓度 梯度 ⑵新相β和母相α成分相同 界面一侧的原子通过热激活跨过界面与生长着的新相界面连接起来。这个过程同时地，独立地在界面上新有位置机会均等的进行，界面连续生长。 （2）新相与母相共格 新相和母相完全共格的情况，单个原子随机地从母相跳到新相去会消耗很多能量，共格界面迁移很困难。 共格界面为减少长大过程中界面迁移消耗的能量，常常以“台阶”长大机制进行。 非共格的台阶界面接纳原子比共格界面上容易，原子加入台阶而事台阶侧向移动，当台阶伸展将整个界面覆盖后，界面沿法线方向推移了一个台阶厚度。 虽然台阶沿侧向伸展是容易的，但是形成新台阶是困难的，所以台阶长大往往由共格宽面上形核产生新台阶的过程控制。 一般情况下，在驱动力足够大的情况下，所有类型的界面均可连续生长，驱动力小于某个临界值时需要以台阶机制生长。 对于结构非常漫散的界面（例如大角度界面），这个临界驱动力很低，以致几乎所有情况下都是连续生长，而对于共格界面，临界驱动力很高，以致几乎都是台阶式生长。 沉淀强化机制 第二相强化合金是最普遍的强化工艺之一，因第二相获得工艺不同，第二相强化的名称也不同。 析出强化（沉淀强化，时效硬化）：第二相通过相变热处理得到。 弥散强化：第二相用粉末冶金的方法得到。 两种方法可统称为颗粒强化。 （1）位错绕过不易变形颗粒（Orowan机制） 单位位错的弹性能（线张力） 螺位错： 刃位错： 2R—实践晶体中位错的平均距离。 一般将位错线的张力简写为： T=αGb2 或 T=0.5Gb2 G—切变模量，b—柏氏矢量 位错受力： （单位长度的位错） 弯曲位错的恢复力（dl长度恢复力）： 单位长度位错受力： dθ dθ/2 dl T T 位错受力平衡时：f = fr 位错绕过颗粒障碍时的最小曲率半径：d/2 除基体的屈服应力，还要增加的应力。 （2）位错切过易变颗粒 两种强化机制 （1）短程交互作用 ①位错切过质点，增加了界面能； ②位错扫过有序结构时会形成反相畴界，产生反相畴界能。共格界面能0.2J/m2,反相畴界能2J/m2 ③颗粒与基体的滑移面不重合，会产生割阶，颗粒的派-纳力高于基体，引起临界切应力增加。 （2）长程交互作用 颗粒与基体点阵不同（至少点阵常数不同），导致共格界面失配，从而造成应力场。当位错趋近一个颗粒时，位错应力场与颗粒在基体中造成的应力场交互作用，从而引起临界切应力的增加。 颗粒半径最佳值 颗粒较小时，位错切割颗粒，r增加，强化效果增大。 r增大，位错线绕过质点，因为绕过质点比切过质点切应力低。 ?τ切 ?τ绕 ?τ r rc 最佳颗粒半径的近似估算 思路：最佳颗粒半径时，绕过机制临界切应力=切过机制临界切应力 单位长度位错受力：f=τb 长为d的位错线受力：F=τb﹒d W功 =F﹒b =τb﹒d﹒b =τb2﹒d W功 =⊿U（增加的表面功） τb2﹒d=2rb﹒γ b 2r ?U=2rbν 估计： rc=10nm～100nm，实验表明， 尺寸大于100nm的第二相是难以切过的。 获得高强材料的途径 （1）沉淀强化 第二相尺寸在10nm～100nm范围内，体积分数f=0.05，则每立方厘米内形核密度为1016个质点。 提高单位体积内的生核速率，办法：利用相变或形变产生高密度位错，使第二相在位错形核，从而提高生核率。 例：马氏体时效钢，淬火时屈服强度只有700Mpa，而时效后的屈服强度达到1400～2100Mpa。 有序强化：位错扫过有序相，产生反相畴界，需要较大力，具有很大的强化效果。γ′（Ni3Al）强化镍基合金。 反相畴界界面能较高，约100～300mJ/m2。而共格界面能10～30 mJ/m2 ②固溶强化 ③细晶强化 ④加工硬化 ⑤提高金属高温强度，不能细化晶粒，要使晶粒变大。 —为均匀形核时的形核功 讨论如下： （1） 晶界对形核没有促进作用； （2） ，非均匀形核无阻力； （3） ，非均匀形核功约为均匀形核的1/3。 练习题 纯金属α→β多形性转变在某一过冷度下两相体积吉布斯自由能差为7×105KJ/m3，α/β界面能为0.6