纳米材料基础-第五章电学性能2.pptxVIP

纳米金属丝的电导量子化及特征; 通过纳米接触的电流可以通过Landauer-Büttiker公式计算 ;纳米金属丝电导的测量方法主要包括：;; ;;;用MCBJ方法制备的金纳米联接和原子联接的HRTEM照片：(a) [100]方向形成的直径约为1nm的金丝和单原子连接，(b) [111]方向形成的只有一个金原子连接的双“金字塔”型收缩区，(c) [110]方向形成的杆状连接，(d) 金纳米丝500条曲线的台阶分布，插图表示样品断裂前的电导曲 线，显示出最后一个电导台阶。;; 通过电化学沉积法制作 Ag 纳米接触的示意图，插图表示在 30mV下，通过化学沉积法得到的两个 Ag 纳米颗粒，在这两个纳米颗粒之间形成 Ag 纳米接触， (b)电化学沉积过程中形成的四种 Ag 纳米接触的电导随时间变化关系.; 用 STM 测得的 Cu 纳米接触的电导，在1G0 处出现的平台表明 Cu 纳米接触形成; 4.2K时MCBJ实验测量的金纳米接触的电导随劈裂结之间距离的变化，插图表示4.2K时TEM测量金纳米接触的电导平台随挤压距离的变化。1G0平台表示单个金纳米原子接触的形成;Au纳米接触的电导平台;Au纳米接触的电导平台; 研究表明，金属纳米丝电导受很多外界因素的影响，例如： ;; 当在电接触处形成直径为几个纳米的金属丝能稳定相当的时间时，就可以测定该纳米丝的 I-V 曲线。许多研究者发现，室温下金在0.1～1V 的电压范围内时，I-V 曲线具有非线性分量。上图为具有不同量子通道数的金纳米丝的曲线，曲线上数字即为量子通道数。一个单原子可有五个通道，但仅部分开通。由于一个通道最大的电导为 G0 ，可粗略地将 n 看成 G0 的系数，即 n 越小，电导越小，n 越大，电导越大。 ; 由图可知，低 n 值的曲线（n＝1、2、3等）呈现出非常明显的非线性分量。将图放大，可发现 n＝6 时也具有明显的非线性分量，故非线性分量与纳米接触电导值无关。此时电流具有立方项，即: I=g0V+g3V3 ，g0 、g3分别为电流的线性和非线性系数，其中 g30，即电压越高，非线性越显著。可以认为杂质元素或样品被污染导致了 I-V 曲线具有非线性分量，在实际条件下要维持样品不受污染几乎是不可能的。因此，I-V 曲线具有非线性分量是不可避免的。; 在低维???米固体结构中，通过一定的控制手段，比如加偏压、门压等能操纵电子一个一个地运动，这就是单电子效应或单电子现象。这完全不同于在宏观导体内导电过程中转移电子数的连续性，因为电流是由电子云相对于原子晶格的定向偏移形成的。; 单电子效应的主要研究对象是超小隧道结。隧道结是由两个金属电极及夹在其间的绝缘介质构成。与通常的电容相比，隧道结中的绝缘介质足够的薄，同时起着势垒的作用。由于电子具有量子属性，所以它能以一定的概率隧穿通过势垒，这一现象称作量子隧穿。 量子遂穿的概率与势阱的深度、壁厚和形状有关。因此，如果对纳米尺度材料的表面进行修饰，能通过改变势阱的深度、壁厚、形状来改变其对电子的约束。量子遂穿可以将临近的纳米尺度材料直接耦合在一起，形成无导线的连接。适当地改变材料的尺寸、界面间距以及外界的电场，可以直接调制材料之间的耦合。; 理想恒流源驱动的单隧道结在电子隧穿时两极板电荷的变化;;理想恒压源驱动的单隧道结的曲线 ;;; 台阶形I-U曲线产生的条件是 R2C2 R1C1，R1 和 R2 分别为 J1 和 J2 的电阻，即双结不对称。台阶的高度为 ， 为单个电子隧穿击射垒所需的平均时间。在 J1 和 J2 串联组成的库仑岛上加一个栅电极，在控制栅极上外加 Ue的电压，通过电容C的静电耦合可以连续改变库仑 岛的静电势，亦可以周期性的满足发生隧穿事件的 条件。; 根据库仑岛大小和形状的不同，单电子效应主要应用于以下几种纳米电子器件： 单电子晶体管（SET） 量子点器件（QD） 共振隧穿二极管和三级管（RTD，RTT）。 ;三种固体纳米电子器件的区别 ;; 量子点示意图 (a)横向量子点结构 (b)竖直量子点结构; 介电材料或电介质是以电极化为基本电学性能的材料。所谓电极化，是指材料中的原子或离子的正、负电荷中心在电场作用下相对移动（产生电位移）从而导致电矩的现象。产生电极化的主要机理有： 电子位移极化：在外电场作用下原子的电子云和原子核发生相对位移。 粒子位移极化：在外电场作用下正、负离子间发生相对