半导体探测器介绍.ppt

能量分辨率可用FWHM表示： FWHM 或 ?E 称为半高宽或线宽，单位为：KeV。 以210Po的 E＝5.304MeV 的?粒子为例， 对一种PN结探测器，由于输出脉冲幅度的统计涨落引起的线宽为： * ppt课件 (2) 探测器和电子学噪声 探测器的噪声由P-N结反向电流及表面漏电流的涨落造成； 电子学噪声主要由第一级FET构成，包括：零电容噪声和噪声斜率。 噪声的表示方法：等效噪声电荷ENC，即放大器输出噪声电压的均方根值等效于放大器输入端的噪声电荷，以电子电荷为单位；由于噪声叠加在射线产生的信号上，使谱线进一步加宽，参照产生信号的射线的能量，用FWHM表示，其单位就是KeV。例如，ENC＝200电子对，由噪声引起的线宽为： * ppt课件 入射粒子通过探测器灵敏区之前的非耗尽层厚度称为窗厚。 (3) 窗厚度的影响 式中 为单位窗厚度引起的能量损失。 * ppt课件 假设入射带电粒子在窗材料中射程 ： 则两种入射情况下，在灵敏区损失的能量差为 式中△E1是用能量损失表示的窗厚。 * ppt课件 （4）空气的影响 入射带电粒子从放射源发出到进入探测器灵敏体积要经过空气层并在其中损失一部分能量，造成 输出脉冲幅度减小，谱峰有个低能尾部，从而使分辨率变差。 测能谱时可以把放射源尽可能靠近探测器。且还可以抽真空（把探测器放在真空中）从而可忽略空气的吸收。 * ppt课件 2） 分辨时间与时间分辨本领： 3） 能量线性很好，与入射粒子类型和能量基本无关 4） 辐照寿命 辐照寿命是半导体探测器的一个致命的弱点。半导体探测器随着使用时间的增加，造成载流子寿命变短，影响载流子的收集。例如，对5.5MeV的?粒子，当达到109cm-2时，分辨率开始变坏，达到1011cm-2时明显变坏。 * ppt课件 5、应用 1） 重带电粒子能谱测量 * ppt课件 * ppt课件 * ppt课件 * ppt课件 * ppt课件 1)介质为空气： 实验结果: 峰位：615.35chn 半宽度：19.00chn * ppt课件 2)介质为真空 峰位：768.54chn 半宽度：9.28chn * ppt课件 * （1）半导体探测器得到的gamma谱与闪烁谱仪相比，发生了质的变化。 第四章 半导体探测器 Semiconductor Detector * ppt课件 半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。 我们把气体探测器中的电子－离子对、闪烁探测器中被 PMT第一打拿极收集的电子 及半导体探测器中的电子－空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流子的平均能量分别为30eV(气体探测器)，300eV(闪烁探测器)和3eV(半导体探测器)。 * ppt课件 半导体探测器的特点： (1) 能量分辨率最佳； (2) ?射线探测效率较高，可与闪烁探测器相比。 常用半导体探测器有： (1) P-N结型半导体探测器；重带电粒子 (2) 锂漂移型半导体探测器；β和低能x射线 (3) 高纯锗半导体探测器；γ射线 * ppt课件 4.0 半导体的基本知识 1. 固体的导电性： 物体导电是物体内电子在外电场作用下定向运动的结果。 2. 导体、半导体、绝缘体的能带 由于电场力对电子的作用，使电子的运动速度和能量发生变化。 从能带论来看，电子能量变化就是电子从一个能级跃迁到另一个能级上。 满带：能级已被电子所占满，一般外电场作用时，其电子不形成电流，对导电没有贡献，亦称价带。 导带：能带被电子部分占满，在外电场作用下，电子从外电场吸收能量跃迁到未被电子占据的能级上去，形成电流，起导电作用。 * ppt课件 禁带：满带和导带之间的禁区称为禁带，其宽度也称为能隙，记做Eg。 导体、半导体和绝缘体之间的差别在于禁带宽度不同： 导体不存在禁带，满带和导电交织在一起； 半导体禁带较窄，Eg=0.1-2.2eV 绝缘体禁带较宽，Eg=2-10eV 由于能带取决于原子间距，所以Eg与温度和压力有关。一般禁带宽度大的材料，耐高温性能和耐辐照性能好。 * ppt课件 4.1 半导体的基本性质 1、本征半导体和杂质半导体 1) 本征半导体： 由于热运动而产生的载流子浓度称为本征载流子浓度，且导带中的电子数和价带中的空穴数严格相等。 常用半导体材料为硅(Si)和锗(Ge)，均为IV族元素. 理想、无杂质的半导体. 固体物理理论已证明半导体内的载流子平衡浓度为： ni和pi为单位体积中的电