汽车电工16第十六讲.ppt

杂质半导体 N 型半导体 在纯净的硅或锗晶体中掺 入少量的5价元素（如磷）。 +5 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 磷原子 N型半导体的特点： ① 两种载流子中自由电子是多 子，空穴是少子； ② 主要靠自由电子导电。 少数载流子 多数载流子 正离子 N型半导体的简化图示 P 型半导体 在纯净的硅或锗晶体中掺入少量的3价元素（如硼）。 +3 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 硼原子 P型半导体的特点： ①空穴是多子，自由电子是少子； ②主要靠空穴导电。 负离子 少数载流子 多数载流子 P 型半导体的简化图示 PN 结的形成 扩散运动 离子电荷区形成 内电场建立 扩散运动 空间电荷区 PN结 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏。 (1) PN结加正向电压时 低电阻 大的正向扩散电流 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (2) PN结加反向电压时 高电阻 很小的反向漂移电流 2. PN结 3. PN结单向导电性 图5-1 PN结结构 图5-2 PN结单向导电性 2．晶体二极管的伏安特性 （1）正向特性：相当于一个处于 导通状态的开关。 （2）反向特性：反向电流很小， 可以认为二极管基本上不导通。 图5-3