第9章单片机串行扩展技术.pptVIP

9.3 单总线串行扩展 9.3.1 DS18B20简述 一、DS18B20的主要特性 1.适应电压范围更宽，电压范围在3.0～5.5V，在寄生电源方式下可由数据线供电。 2.独特的单线接口方式，DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯。 3.DS18B20支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在唯一的三线上，实现组网多点测温。 4.DS18B20在使用中不需要任何外围元件，全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内。 5.测温范围在-55℃～+125℃，在-10～+85℃时精度为±0.5℃。 6.可编程的分辨率为9～12位，对应的可分辨温度分别为0.5℃、0.25℃、0.125℃和0.0625℃，可实现高精度测温。 7.在9位分辨率时最多在 93.75ms内把温度转换为数字，12位分辨率时最多在750ms内把温度值转换为数字，速度更快。 8.测量结果直接输出数字温度信号，以“一线总线”串行传送给CPU，同时可传送CRC校验码，具有极强的抗干扰纠错能力。 9.负压特性：电源极性接反时，芯片不会因发热而烧毁， 但不能正常工作。 二、DS18B20的外形和内部结构 DS18B20内部结构主要由四部分组成：64位光刻ROM 、温度传感器、温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。DS18B20的外形及管脚排列如下图9-11所示。 PR-35封装 SOSI封装 DS18B20引脚定义： (1)DQ为数字信号输入/输出端； (2)GND为电源地； (3)VDD为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地）。 图9-11 DS18B20的外形及管脚排列 DS18B20内部结构如下图9-12所示。 DS18B20有4个主要的数据部件： （一）光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是：开始8位 （28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。 （二）DS18B20中的温度传感器可完成对温度的测量，以12位转化为例：用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供，以 0.0625℃/LSB形式表达，其中S为符号位。DS18B20温度格式如下表9-4所示。 图9-12 DS18B20内部结构 LS Byte MS Byte S S S S S 表9-4 DS18B20温度值格式表 这是12位转化后得到的12位数据，存储在DS18B20的两个8比特的RAM中，二进制中的前面5位是符号位，如果测得的温度大于0， 这5位为0，只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度；如果温度小于0，这5位为1，测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际温度。例如：+125℃的数字输出为07D0H，+25.0625℃的数字输出为0191H；-25.0625℃的数字输出为FE6FH，-55℃的数字输出为FC90H。DS18B20温度数据转换如下表9-5所示。 温度/℃ 二进制表示 十六进制表示 +125 0000 0111 1101 0000 07D0H +85 0000 0101 0101 0000 0550H +25.0625 0000 0001 1001 0001 0191H +10.125 0000 0000 1010 0010 00A2H +0.5 0000 0000 0000 1000 0008H 0 0000 0000 0000 0000 0000H -0.5 1111 1111 1111 1000 FFF8H -10.125 1111 1111 0101 1110 FF5EH -25.0625 1111 1110 0110 1111 FE6FH -55 1111 1100 1001 0000 FC90H 表9-5 DS18B20温度数据表 （三）DS18B20温度传感器的存储器 DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EEPRAM,后者存放高温触发器TH、低温度触发器TL和结构寄存器。 （四）配置寄存器 配置寄存器该字节各位的意义如下表9-6所示。 TM R1 R0 1 1 1 1 1 表9-6 配置寄存器结构 低五位一直都是“1”，TM是测试模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0，用户不要去改动。DS18B20可以程序设定9-12位的分辨率，