晶体三极管及场效应管.pptxVIP

第四讲 晶体三极管及场效应管晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数双极型三极管（BJT）是半导体三极管的一种类型，它有空穴和电子两种载流子参与导电，故称双极型，又称半导体三极管，有两种类型:NPN型和PNP型。小功率管大功率管中功率管掺杂浓度高面积大掺杂浓度很低，且很薄晶体管有三个极、三个区、两个PN结。二、晶体管的电流分配与放大原理少数载流子的运动因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区基区空穴的扩散 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。电流分配：IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流交流电流放大系数直流电流放大系数穿透电流集电结反向电流三、晶体管的共射输入特性和输出特性1. 输入特性为什么像PN结的伏安特性？为什么UCE增大曲线右移？为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。2. 输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。饱和区 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？放大区截止区../动画/2-2.AVI动画演示晶体管的三个工作区域状态uBEiCuCE截止＜UonICEOVCC放大≥ UonβiB≥ uBE饱和≥ Uon＜βiB≤ uBE 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区。 IC ＝ IB ×β放大区也称为线性区。发射结必须正向偏置，集电结则应反向偏置。截止区： IB ＝ 0的曲线以下的区域称为截止区。对NPN硅管使三极管可靠截止，常使UBE≤0V。发射结和集电结均处于反向偏置。饱和区：输出特性曲线的陡直部分是饱和区。IB的变化对 IC的影响较小。 UCE＜UBE，发射结和集电结均处于正向偏置。BJT的使用常识国产BJT的型号命名方法按国家标准（GB249-74）规定 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO四、主要参数 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO最大集电极电流c-e间击穿电压最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE安全工作区1. 电流放大倍数和 ?在以后的计算中，一般作近似处理：? =前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为：ICBO?A2.集-基极反向截止电流ICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。ICEO= ? IBE+ICBO ? IBEICBOIBE3. 集-射极反向截止电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。集电结反偏有ICBOCNBPN根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。EICBO进入N区，形成IBE。4.集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。（UCE =1V）5.集-射极反向击穿电压当集-射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。ICICMUCEU(BR)CEO6. 集电极最大允许功耗PCM安全工作区 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为：ICUCE=PCMPC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。PC?PCM五、温度对晶体管特性的影响小结1、三极管的三个区域的结构掺杂浓度不同，这是三极管具有电流放大作用的内部条件；其外部条件是发射结正偏，集电极反偏。2、晶体管工作在不同状态时，其外部特征是： 放大状态：发射结正偏，集电结反偏。 截止状态：发射结零偏或反偏，集电结反偏。 饱和状态：反射结正偏，集电结正偏。3、使用晶体管时，不能超过其极限参数。在放大状态，一般取4、温度对晶体管的参数和特性有很大的影响。C(+)e(-) 特殊三极管1 光电三极管将光信号转换为光电流信号半导体器件，并且还能把光电流放大，又称光敏三极管。无光照时：IC=IC